■開催日時：日時：2021/01/26(火) 10：30〜16：30
■会場：【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます。
＜Webセミナーのご説明＞
本セミナーはZoomウェビナーを使用したWebセミナーです。
※ZoomをインストールすることなくWebブラウザ(Google Chrome推奨)での参加も可能です。
お申込からセミナー参加までの流れはこちらをご確認下さい。
キャンセル規定、中止の扱いについては下欄の「お申込み方法」を確認ください。
＜禁止事項＞
セミナー当日にZoomで共有・公開される資料、講演内容の静止画、動画、音声のコピー・
複製・記録媒体への保存を禁止いたします。
■受講料：
51,000円（税込、資料付き／1人）
※Eメール案内(無料)を希望される方は、通常1名様51,000円から
★1名で申込の場合、44,000円
★2名同時申込の場合は、2名様で51,000円(2人目無料)
★3名同時申込の場合は、3名様で73,000円
★4名以上同時申込の場合は、3名様受講料＋3名様を超える人数×20,000円
備考
※2名同時申込は同一法人内に限ります。
※2名様ご参加は2名様分の参加申込が必要です。
ご連絡なく2名様のご参加はできません。
■主催：S&T出版
■講師：岩室 憲幸 氏
筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 博士（工学）
■趣旨：
2020年、コロナウィルスの全世界的な蔓延により、世界各国は人的・経済的に甚大なダメージを
受け回復の見通しは全く不透明といった状況にある。しかしこのような中においても、地球温暖化
ならびに大気汚染対策のための自動車の電動化は人類にとって「待った無」の課題であることに
変わりはない。最近ではカリフォルニア州が2035年までに州内でのガソリン車の新車販売を禁止
するとの発表をするなど、EVシフト化への要求は極めて大きい。EVの性能を決める基幹部品である
パワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら
現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かについて、強力な
ライバルであるシリコンデバイスの最新動向を横にらみしながら、わかりやすく解説したい。
■受講対象者：
パワーエレクトロニクス開発、パワーデバイス開発ご担当だけだはなく、パワーエレクトロニクス
機器販売、パワーデバイス販売ご担当者も十分理解できる内容です。教養程度の工学の知識が
あれば十分理解できるよう、わかりやすく解説します。
■学べる事：
○過去30年のパワーデバイス開発の流れ。
○パワーデバイスの最新技術動向、ＳｉＣ/ＧａＮパワーデバイスの特長と課題。
○SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。
|
