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EVシフトに向けたSi・SiC・GaNパワーデバイス技術ロードマップと業界展望
【Webセミナー】


■開催日時:日時:2021/01/26(火) 10:30〜16:30

■会場:【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます。 

<Webセミナーのご説明>
本セミナーはZoomウェビナーを使用したWebセミナーです。
※ZoomをインストールすることなくWebブラウザ(Google Chrome推奨)での参加も可能です。
お申込からセミナー参加までの流れはこちらをご確認下さい。
キャンセル規定、中止の扱いについては下欄の「お申込み方法」を確認ください。

<禁止事項>
セミナー当日にZoomで共有・公開される資料、講演内容の静止画、動画、音声のコピー・
複製・記録媒体への保存を禁止いたします。

■受講料:
 51,000円(税込、資料付き/1人)

※Eメール案内(無料)を希望される方は、通常1名様51,000円から
 ★1名で申込の場合、44,000円
 ★2名同時申込の場合は、2名様で51,000円(2人目無料)
 ★3名同時申込の場合は、3名様で73,000円
 ★4名以上同時申込の場合は、3名様受講料+3名様を超える人数×20,000円

備考
  ※2名同時申込は同一法人内に限ります。
  ※2名様ご参加は2名様分の参加申込が必要です。
    ご連絡なく2名様のご参加はできません。

■主催:S&T出版

■講師:岩室 憲幸 氏
筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 博士(工学)

■趣旨:
2020年、コロナウィルスの全世界的な蔓延により、世界各国は人的・経済的に甚大なダメージを
受け回復の見通しは全く不透明といった状況にある。しかしこのような中においても、地球温暖化
ならびに大気汚染対策のための自動車の電動化は人類にとって「待った無」の課題であることに
変わりはない。最近ではカリフォルニア州が2035年までに州内でのガソリン車の新車販売を禁止
するとの発表をするなど、EVシフト化への要求は極めて大きい。EVの性能を決める基幹部品である
パワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら
現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かについて、強力な
ライバルであるシリコンデバイスの最新動向を横にらみしながら、わかりやすく解説したい。

■受講対象者:
パワーエレクトロニクス開発、パワーデバイス開発ご担当だけだはなく、パワーエレクトロニクス
機器販売、パワーデバイス販売ご担当者も十分理解できる内容です。教養程度の工学の知識が
あれば十分理解できるよう、わかりやすく解説します。

■学べる事:
○過去30年のパワーデバイス開発の流れ。
○パワーデバイスの最新技術動向、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。
○SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。


1. パワーエレクトロニクスとは?
 1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
 1-3 パワーデバイスの適用分野
 1-4 高周波動作のメリットは
 1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
 1-6 次世代パワーデバイス開発の位置づけ

2. 最新シリコンIGBTの進展
 2-1 10年後のパワー半導体の市場予測
 2-2 シリコンIGBTの今
 2-3 最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT
 2-4 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発
 2-5 IGBTの進展を支える実装技術の進展

3. SiCパワーデバイスの現状と課題
 3-1 半導体デバイス材料の変遷
 3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3-3 SiCのシリコンに対する利点
 3-4 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
 3-5 SiCウェハができるまで
 3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
 3-7 SiC-MOSFET拡販のための4つの課題
 3-8 なぜSiC-MOSFETがEVに適しているのか?
 3-9 SiC-MOSFET作成プロセス
 3-10 SiCデバイス信頼性のポイント
 3-11 最新SiC-MOSFET開発動向

4. GaNパワーデバイスの現状と課題
 4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
 4-2 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜ縦型GaN on GaNではないのか?
 4-3 GaN-HEMTデバイスの特徴と課題
 4-4 GaN-HEMTのノーマリ−オフ化
 4-5 Current Collapse現象メカニズム
 4-6 最新GaN-HEMT開発動向
 4-7 縦型GaNデバイスの最新動向

5. 高温対応実装技術
 5-1 高温動作ができると何がいいのか
 5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ。ポイントは何か?
 5-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

6. まとめ

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