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EVシフト・カーボンニュートラルに向けた
Si・SiC・GaNパワーデバイス技術ロードマップと業界展望【Webセミナー】


■開催日時:2022/01/26(水)  10:30〜16:30

■会場:【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます。 

<Webセミナーのご説明>
本セミナーはZoomウェビナーを使用したWebセミナーです。
※ZoomをインストールすることなくWebブラウザ(Google Chrome推奨)での参加も可能です。
お申込からセミナー参加までの流れはこちらをご確認下さい。
キャンセル規定、中止の扱いについては下欄の「お申込み方法」を確認ください。

<禁止事項>
セミナー当日にZoomで共有・公開される資料、講演内容の静止画、動画、音声のコピー・複製・
記録媒体への保存を禁止いたします。

■受講料:
51,000円(税込、資料付き/1人)
※資料付(印刷資料)
※Eメール案内を希望されない方は、「51,000円×ご参加人数」の受講料です。
※Eメール案内(無料)を希望される方は、通常1名様51,000円から
 ★1名で申込の場合、44,000円
 ★2名同時申込の場合は、2名様で51,000円(2人目無料)
 ★3名同時申込の場合は、3名様で73,000円
 ★4名以上同時申込の場合は、3名様受講料+3名様を超える人数×20,000円

※2名様以上の同時申込は同一法人内に限ります。
※2名様以上ご参加は人数分の参加申込が必要です。
 ご参加者のご連絡なく2様以上のご参加はできません。


■主催:S&T出版

■講師:
岩室 憲幸 氏
筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 博士(工学)

《略歴》
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士(工学)(早稲田大学)。
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス
研究、開発、製品化に従事。
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事。
2009 年5月〜2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産
技術開発に従事。
2013年4月〜 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。

《専門》
Si-IGBT/Diode ならびにSiC-MOSFET/SBDデバイス研究開発

《学会活動》
IEEE Senior Member、電気学会上級会員、応用物理学会会員
パワー半導体国際シンポジウム ISPSD 2021 組織委員会、論文委員会委員
2021 IEEE IEDM PDS Sub Committee Member
日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞受賞(2020年12月)
電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞(2020年4月)
電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞(2011年)

《著書》
1.「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」, 科学情報出版 (2019年) 
2.“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapert 4 担当・
  執筆 (Elsevier, Oct. 2018)
3.「世界を動かすパワー半導体 ‐IGBTがなければ電車も自動車も動かない‐」,編集委員,
  電気学会出版

■本セミナーの趣旨:
2020年からのコロナウィルスの全世界的な蔓延により、世界各国は人的・経済的に甚大なダメ
ージを受け、2021年末になりようやく回復の見通しがみえつつある状況にある。このような中に
おいて、地球温暖化ならびに大気汚染対策のための自動車の電動化(xEV)をはじめとした脱炭素
社会実現は人類にとって「待った無」の課題であることに変わりはない。EVをはじめとしたパワ
エレ製品の性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が
大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に
十分応えられているとは言えない。本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及する
ためのポイントは何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を横にらみ
しながら、わかりやすく解説したい。

■受講対象者:
パワーエレクトロニクス開発、パワーデバイス開発ご担当だけだはなく、パワーエレクトロニクス
機器販売、パワーデバイス販売ご担当者も十分理解できる内容です。教養程度の工学の知識があれば
十分理解できるよう、わかりやすく解説します。

■学べる事:
過去30年のパワーデバイス開発の流れ。
パワーデバイスの最新技術動向、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。
SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。


1. パワーエレクトロニクスとは?
 1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
 1-3 パワーデバイスの適用分野
 1-4 高周波動作のメリットは
 1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
 1-6 次世代パワーデバイス開発の位置づけ

2. 最新シリコンIGBTの進展
 2-1 10年後のパワー半導体の市場予測
 2-2 シリコンIGBTの今
 2-3 最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT
 2-4 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発
 2-5 IGBTの進展を支える実装技術の進展

3. SiCパワーデバイスの現状と課題
 3-1 半導体デバイス材料の変遷
 3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3-3 SiCのシリコンに対する利点
 3-4 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
 3-5 SiCウェハができるまで
 3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
 3-7 SiC-MOSFET拡販のための4つの課題
 3-8 なぜSiC-MOSFETがEVに適しているのか?
 3-9 SiC-MOSFET作成プロセス
 3-10 SiCデバイス信頼性のポイント
 3-11 最新SiC-MOSFET開発動向

4. GaNパワーデバイスの現状と課題
 4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
 4-2 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜ縦型GaN on GaNではないのか?
 4-3 GaN-HEMTデバイスの特徴と課題
 4-4 GaN-HEMTのノーマリ−オフ化
 4-5 Current Collapse現象メカニズム
 4-6 最新GaN-HEMT開発動向
 4-7 縦型GaNデバイスの最新動向

5. 酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状
 5-1 酸化ガリウムとその特徴
 5-2 酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況
 5-3 ダイヤモンドパワーデバイス開発状況

6. 高温対応実装技術
 6-1 高温動作ができると何がいいのか
 6-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ。ポイントは何か?
 6-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

7. まとめ


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