. .
セミナー・イベントTOPへ戻る

実機とシミュレーション結果の差異を合わせる為のノウハウを解説する講座
熱解析の基礎から、実機計測とシミュレーションの差異の原因と精度の改善法を学び、自社の製品開発へ活かそう!

※PCは会場に用意致します。

パワー半導体における熱解析と熱設計に活かすためのモデル作成への応用 
〜1人1台PC演習付〜

〜 温度測定と熱設計、過渡熱抵抗カーブと構造関数の違い、シミュレーション精度の向上 〜

■開催日時:2018年07月13日(金) 10:30 〜 17:30


■会場:日本テクノセンター研修室
    (東京都新宿区西新宿二丁目7-1 小田急第一生命ビル 22階)

■受講料:一般(1名) : 49,680円 (税込)
     同時複数申し込みの場合(1名) : 44,280円 (税込)

■主催:(株)日本テクノセンター


■受講対象者:
・パワー半導体の熱設計技術者の方
・半導体素子の熱設計者の方
・放熱材料の設計者の方



■予備知識:
・高校卒業程度の数学、物理の知識があれば問題ございません

■修得知識:
・パワーデバイスの熱解析の基礎を修得出来る
・構造関数の見方について理解出来る

■講師の言葉:
 近年、パワー半導体素子の熱設計が重要となってきており、測定方法の規格化も国内外で
進んでいる。そこで、半導体ICの熱規格について解説した上でパワー半導体への応用について
紹介する。ジャンクション温度は直接測定することが困難であり、数値計算で見積もっている
ことが多い。本講座では実機と計算結果の差異についての検証法を解説する。最近では熱特性の
可視化により、構造関数でパッケージ抵抗・熱容量や放熱を検証しているが、従来の熱回路に
よる検討と同様に議論するためには構造関数の正しい理解が必要である。そこで、構造関数の
意味や算出方法について解説し、応用展開について紹介する。さらに、熱抵抗の議論に一般的に
使われている過渡熱抵抗カーブ(Zth)と構造関数の違いによる内部構造の分離方法について
実例を含めて紹介する。
 また、熱解析にてシミュレーションの結果と実測の差異に悩んでいる技術者の方が多いと
思われる。 そこで、この原因の特定と精度の改善を可能とする実測の構造関数を使った
シミュレーションモデル作成方法、並びに実測とシミュレーションの構造関数の整合による、
シミュレーションパラメータの高精度算出方法や接触熱抵抗の算出について説明する。併せて
設計者がCAD上で自身の作成したモデルに対して容易に熱解析を実施できる設計者向けCFD
ツールを使って、熱解析および構造関数の算出方法を紹介する。



1.温度と熱測定
  (1).温度測定方法
  (2).温度測定規格
  (3).JEDEC規格
  (4).ジャンクション温度見積
  (5).熱測定方法
  (6).過渡熱測定
  (7).熱抵抗とは

2.T3Masterによる構造関数作成
  (1).時定数と温度測定
  (2).構造関数の算出
  (3).RCラダーモデル
  (4).積分構造関数及び微分構造関数
  (5).Zthと構造関数
  (6).構造関数の事例
  (7).構造関数の作成
  (8).構造関数の見方
  (9).構造関数と等温面の考え方

3.パワー半導体の構造
  (1).従来ICパッケージの温度測定規格
  (2).パワー半導体の内部構造
  (3).パワー半導体パッケージ
  (4).過渡熱測定
  (5).測定モード
  (6).JEDEC51−14に準拠したパワー半導体素子のθjc実測方法
  (7).Si系パワーモジュール過渡熱測定
  (8).SiC系パワーモジュール過渡熱測定
  (9).GaN系パワーモジュール過渡熱測定
  (10).パワーモジュールのパワーサイクル試験

4.実測とシミュレーション差分検証
  (1).IGBTの実測方法その注意点
  (2).両面放熱モジュールの解析と実測
  (3).両面放熱モジュールのシミュレーションのモデル作成

5.CFDツールによる解析
  ・パワーIGBTを例にした、モデル準備、解析設定、メッシュ、解析、結果表示

Copyright (C) 2018 NTS Inc. All right reserved.