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SiCパワー半導体開発とSiC単結晶ウェハ製造プロセスの最新動向
【Webセミナー】


■開催日時:2024/07/01(月) 10:30〜16:30

■会場:【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます。 

<Webセミナーのご説明>
本セミナーはZoomウェビナーを使用したWebセミナーです。
※ZoomをインストールすることなくWebブラウザ(Google Chrome推奨)での参加も可能です。
お申込からセミナー参加までの流れはこちらをご確認下さい。
キャンセル規定、中止の扱いについては下欄の「お申込み方法」を確認ください。

<禁止事項>
セミナー当日にZoomで共有・公開される資料、講演内容の静止画、動画、音声のコピー・複製・
記録媒体への保存を禁止いたします。

■受講料(税込):52,800円
※資料付
※Eメール案内を希望されない方は、「52,800円×ご参加人数」の受講料です。
※Eメール案内(無料)を希望される方は、通常1名様52,800円から
 ★1名で申込の場合、46,200円
 ★2名同時申込の場合は、2名様で52,800円(2人目無料)
 ★3名同時申込の場合は、3名様で71,500円
 ★4名以上同時申込の場合は、ご参加人数×20,900円
※2名様以上の同時申込は同一法人内に限ります。
※2名様以上ご参加は人数分の参加申込が必要です。
 ご参加者のご連絡なく2様以上のご参加はできません。

■主催:S&T出版

■講師:
大谷 昇 氏<オオタニ ノボル>
所属
関西学院大学 工学部 教授

略歴
1960年 東京都生まれ
1984年 東京工業大学修士課程物理学専攻修了
1984年 新日本製鐵(株)入社。同社中央研究本部第一技術研究所配属
その後、エレクトロニクス研究所を経て、先端技術研究所に勤務
一貫して、半導体材料・デバイスの研究開発に従事
特に、パワーデバイス用シリコンカーバイド(SiC)半導体の研究開発・事業化に注力
2008年 関西学院大学教授に就任
その間、1991〜1993年英国Imperial College London博士課程在学
1993年 同課程修了(Ph.D.取得)

受賞
1997年 日本金属学会技術開発賞受賞
2007年 日経BP技術賞受賞
2021年 応用物理学会フェロー表彰受賞

専門
SiC半導体材料の結晶成長並びに欠陥物理学

本テーマ関連学協会での活動
・(公社)応用物理学会:代議員、先進パワー半導体分科会幹事長
・日本結晶成長学会:理事、評議員
・The Electrochemical Society (ECS):Symposium Organizer
・International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM):国際諮問委員
 会委員、実行委員長、国際プログラム委員
・European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM):国際プログラム委員
・Japanese Journal of Applied Physics/Applied Physics Express編集委員
・IEEE Transaction on Electron Devices, Special issue editor
・ECS Journal of Solid State Science and Technology, Special issue editor

■本セミナーの趣旨:
 現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造・量
産が開始されることがアナウンスされている。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が
始まるとされる。パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用される。
市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード(SBD)、
金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載
されているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで
使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。
 本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネ
ス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。

■

■プログラム:
【10:30〜12:00】 SiCパワー半導体開発の現状
 1. SiCパワー半導体開発の背景
   1.1. 環境・エネルギー技術としての位置付け
   1.2. SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト
 2. SiCパワー半導体開発の歴史
   2.1. SiCパワー半導体開発の黎明期
   2.2. SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー
 3. SiCパワー半導体開発の現状と動向
   3.1. SiCパワー半導体の市場
   3.2. SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
   3.3. SiCパワー半導体関連の最近のニュース
 4. SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
   4.1. SiC単結晶とは?
   4.2. SiC単結晶の物性と特長
   4.3. SiC単結晶の各種デバイス応用
 5. SiCパワーデバイスの最近の進展
   5.1. SiCパワーデバイスの特長
   5.2. SiCパワーデバイス(SBD、MOSFET)の現状
   5.3. SiCパワーデバイスのシステム応用

【12:00〜13:00】 昼食休憩

【13:00〜14:30】 SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望
 6. SiC単結晶のバルク結晶成長
   6.1. SiC単結晶成長の熱力学
   6.2. 昇華再結晶法
   6.3. 溶液成長法
   6.4. 高温CVD法(ガス法)
   6.5. その他成長法
 7. SiC単結晶ウェハの加工技術
   7.1. SiC単結晶ウェハの加工プロセス
   7.2. SiC単結晶の切断技術
   7.3. SiC単結晶ウェハの研磨技術
 8. SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
   8.1. SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
   8.2. SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向

【14:30〜14:40】 休憩

【14:40〜16:10】 SiC単結晶ウェハ製造の技術課題
 9. SiC単結晶のポリタイプ制御
   9.1. SiC単結晶のポリタイプ現象
   9.2. 各種ポリタイプの特性
   9.3. SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御
 10. SiC単結晶中の拡張欠陥
   10.1. 各種拡張欠陥の分類
   10.2. 拡張欠陥の評価法
 11. SiC単結晶のウェハ加工
   11.1. ウェハ加工の技術課題
   11.2. ウェハ加工技術の現状
 12. SiCエピタキシャル薄膜成長
   12.1. エピタキシャル薄膜成長の技術課題
   12.2. エピタキシャル薄膜成長技術の現状
 13. SiC単結晶ウェハの電気特性制御
   13.1. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性
   13.2. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状
 14. SiC単結晶ウェハの高品質化
   14.1. マイクロパイプ欠陥の低減
   14.2. 貫通転位の低減
   14.3. 基底面転位の低減
 15. まとめ

【16:10〜16:30】 質疑応答

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