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GaNパワーデバイスの最新動向と技術課題【Webセミナー】

■開催日時:2024/07/17(水) 13:00〜16:30

■会場:【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます。 

<Webセミナーのご説明>
本セミナーはZoomウェビナーを使用したWebセミナーです。
※ZoomをインストールすることなくWebブラウザ(Google Chrome推奨)での参加も可能です。
お申込からセミナー参加までの流れはこちらをご確認下さい。
キャンセル規定、中止の扱いについては下欄の「お申込み方法」を確認ください。

<禁止事項>
セミナー当日にZoomで共有・公開される資料、講演内容の静止画、動画、音声のコピー・複製・
記録媒体への保存を禁止いたします。

■受講料(税込):46,200円 (Eメール案内希望価格:
※資料付
※Eメール案内を希望されない方は、「46,200円×ご参加人数」の受講料です。
※Eメール案内(無料)を希望される方は、通常1名様46,200円から
 ★1名で申込の場合、39,600円
 ★2名同時申込の場合は、2名様で46,200円(2人目無料)
 ★3名同時申込の場合は、3名様で67,100円
 ★4名以上同時申込の場合は、ご参加者数×19,800円
※2名様以上の同時申込は同一法人内に限ります。
※2名様以上ご参加は人数分の参加申込が必要です。
 ご参加者のご連絡なく2様以上のご参加はできません。

■主催:S&T出版

■講師:
田中 敦之 氏<タナカ アツシ>

略歴
2003年 東京工業大学工学部卒
2008年 東京工業大学大学院 理工学研究科修了 
     シリコン量子ドットの研究で博士(工学)取得
     富士電機株式会社入社
2010年 産業技術総合研究所に出向しSiCパワーデバイスの研究・量産技術開発に従事
     主に結晶欠陥のデバイスへの影響解明と欠陥の評価手法に関する研究を行う
2015年 国立大学法人 名古屋大学に転職
     GaNのパワーデバイスの研究に従事

専門
SiC、GaNの結晶欠陥評価、加工、パワーデバイス設計、プロセス開発

■本セミナーの趣旨:
 GaNは半導体の中でも特に用途が多岐にわたる半導体である。発光デバイスや、高周波トランジス
タは既に実用化され、なくてはならないものとして利用されている。また、大きなバンドギャップ
と絶縁破壊電界強度に由来するパワーエレクトロニクス用のデバイス材料としての適性も有してお
り、既に実用化されているSi、SiCに次ぐ世代の材料であるとされている。本講演ではそんなGaNを
用いたパワーデバイスの動向、課題、今後の展望についてGaNの結晶からデバイスまでの範囲で解説
します。

■プログラム:
1. はじめに
 1-1 GaNについて
 1-2 これまでのGaNの利用分野
 1-3 パワー半導体材料としてのGaN

2. GaNウェハについて
 2-1 ホモエピ用基板とヘテロエピ用基板
 2-2 様々なGaNの結晶成長方法とその特徴
 2-3 GaN基板のラインナップの現状
 2-4 加工技術
 2-5 基板・結晶評価技術

3. GaNパワーデバイス作製プロセスについて
 3-1 GaN結晶と半導体プロセス
 3-2 デバイス層結晶成長方法
 3-3 イオン注入について
 3-4 ゲート絶縁膜について
 3-5 ドライエッチングとウェットエッチング

4. GaNパワーデバイス
 4-1 デバイス設計と設計パラメータ
 4-2 GaNを用いた基本的なパワーデバイスの現状
 4-3 GaNならではの特徴を用いたパワーデバイスについて
 4-4 既に実用化されているGaNパワーデバイスとその用途
 4-5 国際学会でのGaNパワーデバイスの傾向
 4-6 GaNパワーデバイスの信頼性、結晶欠陥の影響

5. まとめと今後の展望

※講演内容は変更されることがあります。

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