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SiCパワーデバイスの開発、実装技術と車載展望

■開催日時:2018年8月8日(水)10:30〜16:30 

■会場:『ちよだプラットフォームスクウェア』 (東京都千代田区)

■受講料:49,000円(税込、昼食・資料付き/1人)

■主催:(株)シーエムシー・リサーチ

■講師:岩室憲幸 氏  筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授

【講師経歴】
 1984年 早稲田大学理工学部卒
 1998年 博士(工学)(早稲田大学)。富士電機鰍ノ入社。
 1988年から現在までIGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
 1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar.
 1999年〜2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
 2009年5月〜2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術
            開発に従事。
 2013年4月〜 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
【活 動】
 IEEE Senior Member、電気学会上級会員、応用物理学会会員。パワー半導体国際シンポジウム 
(ISPSD) 2017 Steering Committee Member。電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞(2011年)。

【著 書】
 1) SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント(監修)(S&T出版)(2018年1月発刊)
 2) 次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開(監修)(シーエムシー出版)(2015年6月
   発刊)
 3) 世界を動かすパワー半導体―IGBTがなければ電車も自動車も動かない− (編集委員)(電気
   学会)(2008年12月発刊)

■趣旨:
 本講座では、SiCパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。
2017年は、電気自動車(EV)の開発に向け大きく進展する年となった。世界最大の自動車市場で
ある中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、
アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化した年となった。EVの性能を決める
基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されている。
しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは
言えない。SiCパワーデバイスの今後の開発の方向性は何かについて、強力なライバルである
シリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説したい。

■セミナー対象者:
 パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス
機器販売、パワーデバイス販売ご担当者

■セミナーで得られる知識
 SiCパワーデバイスの特長と課題
 過去30年のパワーデバイス開発の流れ
 パワーデバイス全体の最新技術動向、SiCデバイス実装技術
 SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、などミナーで得られる知識:


 ※ 適宜休憩が入ります。

1.パワーエレクトロニクスとは?
 1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
 1-3 パワーデバイスの適用分野
 1-4 高周波動作のメリットは
 1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
 1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か
2.最新シリコンIGBTの進展と課題
 2-1 IGBT開発のポイント
 2-2 IGBT特性向上への挑戦
 2-3 薄ウェハ フィールドストップ(FS)型IGBTの誕生
 2-4 IGBT特性改善を支える技術
 2-5 最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT 
 2-6 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3-1 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3-2 SiCのSiに対する利点
 3-3 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
 3-4 SiCウェハができるまで
 3-5 太陽光PCSに使われたSiC-MOSFET
 3-6 なぜSiC-MOSFETがEV,PHVに適しているのか?
 3-7 SiCのデバイスプロセス
 3-8 SiCデバイス信頼性のポイント
 3-9 最新SiCトレンチMOSFET

4.高温対応実装技術
 4-1 高温動作ができると何がいいのか
 4-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 4-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

5.まとめ

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