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ALD(原子層堆積)/ALE(原子層エッチング)技術の基礎と応用

■開催日時:2022年8月10日(水) 10:30〜16:30 

■会場:本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申込み前に《こちらのご案内》をご確認下さい。


■受講料:55,000円(税込)  * 資料付
*メルマガ登録者 49,500円(税込)
*アカデミック価格 26,400円(税込)
★ アカデミック価格:学校教育法にて規定された国、地方公共団体および
 学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。
★【メルマガ会員特典】2名以上同時申込かつ申込者全員メルマガ会員登録を
 していただいた場合、1名あたりの参加費がメルマガ会員価格の半額となります。
★ お申込み後のキャンセルは基本的にお受けしておりません。ご都合により
 出席できなくなった場合は代理の方がご出席ください。

■主催:(株)シーエムシー・リサーチ

■講師:
浦岡 行治 氏  奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 教授

【講師経歴】
 1985年3月 豊橋技術科学大学大学院 電気電子修士修了
 1985年4月 松下電器産業 半導体研究センター
 1996年4月 松下電器産業 液晶開発センター
 1999年4月 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 助教授
 2009年4月 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 教授

【活 動】
 1. 応用物理学会 フェロー
 2. IEEE シニアメンバー
 3. IEEE/AMFPD 国際学会実行委員長
 4. JJAP/APEX 副編集委員長
 5. CMC出版「低温ポリシリコントランジスタの開発」
 6. Intelligent Nanosystems for Energy, Information and BiologicalTechnologies
  (ISBN:978-4-431-56427-0 (Print) 978-4-431-56429-4 (Online))

■趣旨:
 AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能な薄膜を形成することは、
非常に重要である。薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディス
プレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。
 本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD(原子層堆積)/ALE(原子層エッチング)
技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積の原理や材料について詳しく紹介
する。また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても
紹介する。

■セミナー対象者:セミナー対象者
 ・ 半導体プロセス・デバイス技術者・学生/教員・企業関係者・研究企画関係者

■セミナーで得られる知識:
 ・ 半導体プロセス技術全般(特にALD技術)
 ・ 半導体デバイス技術(特にMOSデバイス)
 ・ 半導体材料の評価技術(電気的/化学的/物理的)

■プログラム:
※ 適宜休憩が入ります。

1. 薄膜形成技術の基礎
 1.1 薄膜作製の基礎
 1.2 薄膜の評価方法
  1.2.1 電気的評価
  1.2.2 化学的分析法
  1.2.3 光学的評価法
  
2. ALD技術の基礎
 2.1 ALD技術の原理
 2.2 ALD薄膜の特長
 2.3 ALD技術の歴史
 2.4 ALD装置の仕組み
 2.5 ALD技術の材料
  
3. ALD技術の応用
 3.1 パワーデバイスへの応用
 3.2 酸化物薄膜トランジスタへの応用
 3.3 MOS LSIへの応用
  
4. ALE技術の基礎
 4.1 ALEの歴史
 4.2 ALEの原理
  
5. ALE技術の応用事例
 3.1 シリコン、窒化ガリウム等半導体材料への応用
 3.2 シリコン酸化膜、窒化膜等絶縁膜への応用
 3.3 Co等金属膜への応用
  
6. ALD/ALE技術の課題と展望

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