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新しいパワー半導体材料 二酸化ゲルマニウムの特徴と可能性【Webセミナー】

■開催日時:2024/08/05(月)  13:00〜15:00

■会場:【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます。 

<Webセミナーのご説明>
本セミナーはZoomウェビナーを使用したWebセミナーです。
※ZoomをインストールすることなくWebブラウザ(Google Chrome推奨)での参加も可能です。
お申込からセミナー参加までの流れはこちらをご確認下さい。
キャンセル規定、中止の扱いについては下欄の「お申込み方法」を確認ください。

<禁止事項>
セミナー当日にZoomで共有・公開される資料、講演内容の静止画、動画、音声のコピー・複製・
記録媒体への保存を禁止いたします。

■受講料(税込): 35,200円
※資料付
※Eメール案内(無料)を希望される方は、通常1名様35,200円から
 ★1名で申込の場合、31,900円
 ★2名同時申込の場合は、2名様で35,200円(2人目無料)
 ★3名同時申込の場合は、3名様で49,500円
 ★4名以上同時申込の場合は、3名様受講料+3名様を超える人数×15,400円
 (Eメール案内希望価格:1名31,900円,2名35,200円,3名49,500円)

※2名様以上の同時申込は同一法人内に限ります。
※2名様以上ご参加は人数分の参加申込が必要です。
 ご参加者のご連絡なく2様以上のご参加はできません。

■主催:S&T出版
■講師:
金子 健太郎 氏
立命館大学 総合科学技術研究機構 教授 RARAフェロー

■本セミナーの趣旨:
 昨今、パワー半導体業界には新材料による新たな市場形成が始まっています。例えば
SiCはこの10年間の大幅な低価格化により徐々に市場に浸透し始めており、高周波デバイス
用途ではGaNが絶対的な地位を築こうとしています。そして近い将来、SiCやGaNより大きな
バンドギャップをもつより高性能なデバイスが必要になります。しかし、新材料が市場で
受け入れられるには厳しい条件をクリアしなければいけません。それは@基板、薄膜、
加工のコストが低い、ASiCやGaNよりも優れた低損失性、Bp型とn型のドーピング手法による
作製の実現性、の3つが基本条件です。本セミナーではその条件をクリアし、候補材料と
なり得る新しいパワー半導体材料であるルチル構造二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)の物性や
作製手法についてお話をします。

■プログラム:
1. SiC、GaNの今後の動向

2. 新しいパワーデバイス材料、二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)の可能性
 2-1 r-GeO2の可能性
   ・バンドギャップ4.6 eV
   ・p型とn型が作製可能(理論予測)
   ・高い移動度、安価に基板作製可能
 2-2 なぜ、r-GeO2の薄膜合成は困難なのか?
 2-3 r-GeO2厚膜の合成
 2-4 r-GeO2混晶
 2-5 世界のr-GeO2研究

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