【オンラインLive配信・WEBセミナー】
次世代半導体パッケージ・デバイスの高機能化に向けた接合・チップ集積技術開発動向
〜3次元実装、Cu-Cu 接合、ハイブリッド接合〜

■日時：2024年09月30日(月) 11:00〜16:35 ■会場：※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です ※　お申込み時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ず、ご確認ください。 ■定員：30名 ■受講料：60,500円(税込、テキスト費用を含む) 　※複数でのご参加を希望される場合、お申込み追加1名ごとに16,500円が加算となります ■主催：(株)AndTech ■講師： 第1部　 横浜国立大学　　 大学院　工学研究院　システムの創生部門 / 准教授　 井上　史大　氏 第2部　 三菱マテリアル株式会社　 三田工場 技術開発室 実装プロセスグループ　 中川　卓眞　氏 第3部　 株式会社JCU　 CS電子技術部 / 主任研究員　 佐波　正浩　氏 第4部　 国立研究開発法人産業技術総合研究所　 エレクトロニクス・製造領域 先端半導体研究センター 　　　　3D集積技術研究チーム / 主任研究員　 藤野　真久　氏 ■プログラム： ∽∽───────────────────────∽∽ 第1部　チップレット時代のハイブリッド接合　技術開発の現状と今後 【講演主旨】 ※現在講師の先生に最新のご講演主旨をご考案いただいております。完成次第本ページを更新いたし 　ます。 【プログラム】 ※現在講師の先生に最新のご講演プログラムをご考案いただいております。完成次第本ページを更新 　いたします。 １、チップレット集積 ２、ハイブリッド接合の研究動向と課題 ３、ウエハレベルハイブリッド接合 ４、チップレベルハイブリッド接合 【質疑応答】 　∽∽───────────────────────∽∽ 第2部　 ナノポーラス Cu 構造による Cu-Cu 接合に向けた検討 【講演主旨】 ※現在講師の先生に最新のご講演主旨をご考案いただいております。完成次第本ページを更新いたし 　ます。 【プログラム】 ※現在講師の先生に最新のご講演プログラムをご考案いただいております。完成次第本ページを更新 　いたします。 　∽∽───────────────────────∽∽ 第3部　 結晶粒径の制御によるハイブリッド接合技術 【講演主旨】 　表面技術の一つである硫酸銅めっきは、プラスチック上への下地めっきや、電子部品の配線形成、 フライパン底部への厚付けめっきなど、銅の柔らかさや電気伝導性、熱伝導性などの優れた物理的 性質から装飾的な用途や機能的な用途に広く利用されている。Cu-SiO2ハイブリッド接合における Cu電極も硫酸銅めっきで形成されており、これに求められる性質には拡散や熱膨張、低抵抗などが ある。Cuは多結晶であり、各結晶粒はある方位の結晶軸をもつことから、その障壁の少ない粗大Cu 結晶粒はCu-SiO2ハイブリッド接合に好適であると考えられる。本講座では粗大Cu結晶粒のハイブ リッド接合への適合性について解説する。 【プログラム】 1. はじめに 　1-1　硫酸銅めっき 　1-2　添加剤の機能 　1-3　ビアフィリング技術 　1-4　配線形成技術 2. Cu-SiO2ハイブリッド接合 　2-1　接合技術 　2-2　粗大Cu結晶粒の物理的性質 　2-3　Cu-SiO2ハイブリッド接合 　2-4　結晶粒界の消失 3.　おわりに 【質疑応答】 【キーワード】 ハイブリッド接合、Cu-Cu直接接合、粗大結晶粒、結晶粒界、硫酸銅めっき 【習得できる知識】 硫酸銅めっき、添加剤の機能、ハイブリッド接合技術、金属結晶、 　∽∽───────────────────────∽∽ 第4部　 半導体デバイス接合技術動向 【講演主旨】 ※現在講師の先生に最新のご講演主旨をご考案いただいております。完成次第本ページを更新いたし 　ます。 【プログラム】 ※現在講師の先生に最新のご講演プログラムをご考案いただいております。完成次第本ページを更新 　いたします。 ・半導体実装における接合技術について ・ウエハレベル3次元実装技術について ・ウエハレベル貼り合わせ技術について 【質疑応答】