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リソグラフィプロセスにおけるめっき,レジストマスクの基礎とトラブル対策
【Webセミナー】

〜形状・寸法安定化、付着・剥離、気泡・欠陥対策〜

■開催日時:2021/10/29(金)  10:30〜16:30

■会場:【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます。 

<Webセミナーのご説明>
本セミナーはZoomウェビナーを使用したWebセミナーです。
※ZoomをインストールすることなくWebブラウザ(Google Chrome推奨)での参加も可能です。
お申込からセミナー参加までの流れはこちらをご確認下さい。
キャンセル規定、中止の扱いについては下欄の「お申込み方法」を確認ください。

<禁止事項>
セミナー当日にZoomで共有・公開される資料、講演内容の静止画、動画、音声のコピー・
複製・記録媒体への保存を禁止いたします。

■受講料:
 51,000円(税込、資料付き/1人)
※資料付
※Eメール案内(無料)を希望される方は、通常1名様51,000円から
 ★1名で申込の場合、45,900円
 ★2名同時申込の場合は、2名様で51,000円(2人目無料)
 ★3名同時申込の場合は、3名様で73,000円
 ★4名以上同時申込の場合は、3名様受講料+3名様を超える人数×20,000円

※2名様以上の同時申込は同一法人内に限ります。
※2名様以上ご参加は人数分の参加申込が必要です。
 ご参加者のご連絡なく2様以上のご参加はできません。

■主催:S&T出版

■講師:河合 晃 氏
国立大学法人 長岡技術科学大学大学院 電気電子情報工学専攻 教授
博士(工学)
アドヒージョン(株) 代表取締役 兼務

三菱電機(株)ULSI研究所にて10年間勤務し、電子デバイス開発・試作・量産移管・歩留り・
工場管理の業務に従事し、半導体デバイスの高精度な表面処理技術開発に従事した。その後、
長岡技術科学大学にて勤務し、機能性薄膜、表面界面制御、ナノデバイスなどの先端分野の
研究を実施している。各種論文査読委員、NEDO技術委員、国および公的プロジェクト審査員
などを歴任。大学ベンチャー企業として、アドヒージョン(株)代表取締役 兼務。著書33件、
受賞多数、原著論文166報、国際学会124件、特許多数、講演会200回以上、日本接着学会評議員、
電気学会、応用物理学会会員、産学連携・技術コンサルティング実績150社以上

■本セミナーの趣旨:
 近年、めっき技術はエレクトロニクス産業における基盤技術として、その重要性が確立されて
います。半導体デバイスや高周波用プリント基板およびMEMSなどのエレクトロニクスにおいては、
主に、配線形成技術として実用化されています。また、高精度な配線やプラグ構造を形成するには
リソグラフィ技術が必要です。この技術では、レジストマスクで設計された領域に限定してめっき
層を形成します。レジストマスクはエッチングマスクとしても用いられます。めっきによる配線
形状の制御には、レジストマスクの高精度化が不可欠です。本セミナーでは、CuやNiなどの配線
材料のめっき技術、およびリソグラフィ技術の基礎およびレジストマスクの高精度化について講演
します。また、マスク変形やマスク剥離などのトラブル解決法についても解説します。本講座を
通じて、初心者にも分かりやすく、基礎から学んでいただけます。また、受講者が抱えている
日々のトラブル相談にも応じます。

■受講対象者:
めっき技術分野に関わる技術者を対象にしています。実務レベルのセミナー内容ですが、初心者の
方にも分かりやすく説明します。

■学べる事:
・リソグラフィとめっき技術に関わる基礎学問の習得
・めっきおよびマスク技術プロセスの習得
・トラブルへの対応能力


1. リソグラフィにおけるめっき技術
 ・エレクトロニクス産業における位置付け
  (半導体、高周波プリント基板、FPC、MEMS)
 ・配線形成技術としての位置付け
  (ダマシン、プローブ、プラグ、プリント基板配線、LIGA)
 ・基本プロセスフロー(マスク作成、めっき、エッチング、マスク除去)
 ・高精度化要因(CAD設計値からのシフト量管理)

2. レジストマスクの高精度化
2.1 基本プロセスと制御
 ・リソグラフィの基礎(トレンド、分解能、アスペクト比)
 ・レジスト材料(DFR、液レジ、ネガ、ポジ)
 ・レジスト膜形成(HMDS処理、ラミネーター、スピンコート)
 ・パターン露光(光回折、光学コントラスト、露光マスク)
 ・パターン現像(感度曲線、溶解コントラスト)
 ・レジスト除去(ウェット/ドライ、レジスト変質)
 ・形状の高精度化(マルチパターニング、逆テーパ、裾引き、T-top対策)

2.2 レジストトラブル対策
 ・レジスト剥がれ(界面浸透)
 ・形状変形(熱だれ、体積効果)
 ・亀裂(環境応力亀裂、応力集中)
 ・現像膨潤(内部浸透)
 ・ラミネーティング歪み(結晶化歪み)
 ・形状異常(逆テーパ、T-top対策、裾引き)

3. めっき技術の高精度化
3.1 基本プロセス
 ・電解/無電解めっき(Cu、Niめっき)
 ・めっき液の濡れ性制御(表面エネルギー)
 ・シーズ層形成(核生成)
 ・不働態膜形成(pH−ポテンシャル図)
 ・めっき膜性質(結晶成長)

3.2 めっきトラブル対策
 ・膜はく離(界面付着性)
 ・ブリスター(ガス発生)
 ・クラック(応力マッチング)
 ・ひさし(界面浸透、表面エネルギーバランス)
 ・電極腐食(ダマシン、水素水処理)

4. 参考資料
 ・濡れ性トラブルQ&A事例集(トラブルの最短解決ノウハウ)
 ・表面エネルギーによる濡れ・付着性解析(測定方法)

5. 質疑応答
 日頃の開発・トラブル相談に個別に応じます。

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