■開催日時：2024年11月06日(水) 13:00〜15:00
■会場：【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます
■定員：30名
■受講料：38,500円 （税込、資料付き／1人）
※最新のセミナー情報を「配信可」にすると割引適用（登録無料）
会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で38,500円 （税込）から
・1名で申込の場合、35,200円（税込）へ割引になります。
・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計38,500円 （2人目無料）です。
■備考：
資料付き
【LIVE配信セミナーとは？】
■主催：（株）R&D支援センター
■講師：
立命館大学 総合科学技術研究機構 教授 博士(工学) 金子 健太郎 氏
【略歴】
2013年 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻博士課程修了
博士(工学) 日本学術振興会特別研究員(PD)
2014年 京都大学大学院工学研究科 助教
2018年 同 講師
2022年 立命館大学 総合科学技術研究機構 教授 現在に至る
2023年 立命館大学 RARAフェローに選出
2024年 立命館大学 半導体応用研究センター(RISA) センター長
【学協会での役職(抜粋)】
2018年〜現在 IEEE CPMT Symposium Japan 運営委員 査読委員
パワーエレクトロニクスセッション統括責任者
2019年〜現在 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 幹事
2023年〜現在 日本材料学会 企画・広報委員会委員
2018年〜現在 日本材料学会 編集委員会 査読委員
2022年〜2023年 応用物理学会 代議員
2021年〜2023年 日本材料学会 編集委員
2020年〜2023年 第4回酸化ガリウムおよび関連材料に関する国際ワークショップ(IWGO-4) 財務
2019年〜2021年 応用物理学会 関西支部 幹事
2014年〜2015年 第1回酸化ガリウムおよび関連材料に関する国際ワークショップ(IWGO2015) 財務
■受講対象・レベル：
・材料系のR＆Dに従事されている若手の方。
・SiCやGaN、酸化ガリウム等のパワー半導体材料に興味がある方、またはそれら材料の技術的専門職
の方。
・半導体業界の新材料に興味がある方。
■必要な予備知識：
・基礎的な半導体や結晶成長に関する知識。
・出来るだけ専門用語を用いずに、新材料であるGeO2の特徴をお話しますので、初学者の方も御参加
下さい。
■習得できる知識：
・新しいパワー半導体材料であるGeO2の半導体としての特徴や世界の研究状況などの知識が得られ
ます。
■趣旨：
大きな可能性を秘めた新しいパワー半導体材料である二酸化ゲルマニウム(GeO2)の特徴および、
注目を集め始めた理由、社会実装の可能性についてお話します。GeO2は古くて新しい半導体で、
熟練の半導体研究者・技術者の方はGe半導体基板の表面に形成する自然酸化膜を思い浮かべる方も
多いと思います。
しかし、Ge表面に形成する酸化膜はアモルファス相のものですが、当研究室が注目しているのは、
熱的最安定相であるルチル構造をもつ二酸化ゲルマニウム(r- GeO2)です。r- GeO2は水に不溶な
薄膜となります。
パワー半導体として以下の3つの特徴があります。
(1) β-Ga2O3と同等の巨大なバンドギャップ(4.6 eV)をもち、パワー半導体の性能指標の一つで
あるバリガ性能指数(低周波)においてもSiCの10倍、β-Ga2O3の約3倍の性能をもつことが算出さ
れています。
2019年頃よりミシガン大学の Kioupakis教授のグループから、パワーデバイスとして優れた性能を
もつことが理論予測され始めました。
(2) これまで超ワイドバンドギャップ半導体では難しかった、ドーピングによるp型とn型の導電性
制御が可能である事と、電子、正孔ともに高い移動度を発揮する事が理論予測されています。これ
により、パワー半導体市場で大きな割合を占める、ホモ接合でのNormally-off型MOSFETの作製が可
能になります。
(3) そして1970年代よりCZ法、Flux法による微小バルク結晶の合成が報告されています。
つまり、ホモエピタキシャル成長が可能でp型、n型の両伝導が可能、さらに大きなバリガ性能
指数を持つ事から、パワーデバイスの新しい候補材料として一気に注目を浴びました。しかしな
がら、r- GeO2は飽和蒸気圧が大きな材料であるため、従来の真空装置を用いた製膜手法では作製
が困難でした。例えば2020年にKioupakis教授のグループからMBEによる極薄膜の作製が報告され
ましたが、成長速度が10 nm/hとかなり小さいものでした。当研究室では、真空を用いない液相製
膜手法を応用する事で2021年に1μm/h以上の成長速度をもつ厚膜の作製を行いました。しかしなが
ら、その薄膜には低結晶化領域が含まれており、結晶成長条件の最適化などが必要です。この材料
の合成上の難しさとして様々な結晶相が混入するという問題があり、初期のSiC研究に非常に似
通っています。
本セミナーでは、材料の特徴から製膜手法、今後の展開についてお話をします。
■プログラム：
１．GeO2の可能性
1-1 パワー半導体の基本と新材料
1-2 GaNとSiCパワー半導体の今後
1-3 GeO2の可能性
２．なぜ、GeO2の薄膜合成はきわめて困難なのか？
2-1 真空成長手法による難しさ 〜GeO2の高い飽和蒸気圧の壁〜
2-2 非真空成長手法 〜ミストCVD法を例に〜
３．GeO2厚膜の合成と高速成長
４．GeO2のバンドギャップ変調
５．世界のGeO2研究と現状
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