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ALD(原子層堆積)/ALE(原子層エッチング)技術の
基礎と応用【LIVE配信】


■開催日時:2021年12月20日(月) 10:30〜16:30

■会場:【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます 

■定員:30名

■受講料:55,000円(税込、資料付き/1人)
※最新のセミナー情報を「配信可」にすると割引適用(登録無料)
会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で55,000円(税込)から
 ・1名で申込の場合、49,500円(税込)へ割引になります。
 ・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計55,000円(2人目無料)です。

■備考:
資料付【PDF配布】
【LIVE配信セミナーとは?】

■主催:(株)R&D支援センター

■講師:
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究領域 
情報機能素子科学研究室 教授 博士(工学)浦岡 行治 氏
【専門】
半導体プロセス・デバイス
【活動】
応用物理学会フェロー
IEEEシニアー
AMFPD国際会議実行委員長
薄膜材料デバイス研究会組織委員

■受講対象・レベル:
・半導体プロセス・デバイスの初学者
・ALD技術の導入を検討している技術者
・本テーマに興味のある方ならどなたでも受講可能。

■習得できる知識:
・ALD/ALE技術の基礎
・薄膜形成技術の基礎
・薄膜加工技術の基礎
・薄膜を使った半導体デバイスの動作原理
・薄膜デバイスの信頼性評価方法

■趣旨:
AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能な薄膜を形成することは、
非常に重要である。薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディス
プレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。本セミナーでは、近年、
特に注目を浴びているALD(原子層堆積)/ALE(原子層エッチング)技術について、その基礎と
応用について概説する。特に、堆積の原理や材料について詳しく紹介する。また、LSI、薄膜
トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介する。


1.薄膜形成技術
  1.1 薄膜作製/加工の基礎
  1.2 薄膜の評価手法
   1.2.1 電気的評価
   1.2.2 化学的分析手法
   1.2.3 光学的評価手法
2.ALD/ALE技術の基礎
  2.1 ALD技術の原理
  2.2 ALD薄膜の特長
  2.3 ALD技術の歴史
  2.4 ALD装置の仕組み
  2.5 ALD技術の材料
  2.6 ALE技術の基礎
  2.7 ALE技術の課題
3.ALD/ALE技術の応用
  3.1 パワーデバイスへの応用
  3.2 酸化物薄膜トランジスへの応用
  3.3 MOS LSIへの応用
  3.4 太陽電池への応用
4.ALD/ALE技術の将来
  4.1 ALD/ALE技術の課題
  4.2 ALD/ALE技術の展望

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