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CMOS イメージセンサの動作原理・高速化・高性能化・小型化と応用展開
〜感度・ノイズ・ダイナミックレンジ基礎/裏面照射型CMOSイメージセンサ動向〜

日 時:2019年5月28日(火) 13:00-16:00

会 場:京華スクエア2F ハイテクセンター 第2会議室 【東京都・中央区】

定 員:30名

受講料:27,000円(税込、テキスト費用を含む)
 ※複数でのご参加を希望される場合、お申込み追加1名ごとに¥10,800加算となります

主催:(株)AndTech

講師:
PixArt Japan(株) 取締役CTO 博士(工学) 
米本 和也 氏 (元ソニーセミコンダクタソリューションズ(株))

1984〜2001 ソニーにてCCD、CMOSイメージセンサの開発
2001〜2003 Samsung電子にてイメージセンサ研究開発担当常務
2002    早稲田大学理工学研究科博士課程修了 博士(工学)
2003〜2009 パナソニックにてイメージセンサBU開発GM
2009〜2012 プライムセンサージャパン取締役CTO
2012〜2016 (株)東芝S&S社にてCMOSイメージセンサ技術担当
2016〜2018 3月まで ソニーセミコンダクタソリューションズにてCMOSセンサ開発
2018 4月〜 PixArt Japan株式会社取締役CTO

主旨:
 CMOSイメージセンサの原理から入り、その性能の本質、カメラ信号処理の基礎を学びます。
近年のイメージセンサ技術における動向にも触れ、技術の方向性も感じ取ってもらいます。


1. CMOS イメージセンサの動作原理
 1-1 撮像の概念
 1-2 CMOS イメージセンサの全体構成
 1-3 基本動作4つ
  1) 光電変換:光を信号電荷に
  2) 電荷蓄積:信号電荷をためる
  3) 電荷転送:信号電荷を移動
  4) 電荷検出:信号電荷を電圧に
2. 性能と基本機能
 2-1 感度
 何はともあれ変換効率からー表に出ない基本性能ー
 2-2 ダイナミックレンジ
 2-3 ノイズ
  最も大事なノイズー信号の応答と一緒に考えるー
 2-4 電子シャッタ
 2-5 アンチブルーミング
  蓄積量を超えた電子を排出するー経路は読み出しと同じー
3. カメラ信号処理の基礎
 3-1 カメラ信号処理の基本フロー
 3-2 各処理のポイント
4. 近年の技術動向
 4-1 スマホ用の画素数、画素サイズ動向
 4-2 高速化
 4-3 高性能化、小型化:裏面照射型(BSI)CMOS イメージセンサ
 4-4 チップの小型化、高機能化
 4-5 iPhone X のイメージセンサ
5. CMOSイメージセンサの将来展望と課題
 5-1 スマートフォン用
 5-2 車載用

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