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フレキシブルマイクロLEDの可能性

■開催日時:2019年6月20日(木)13:30〜16:30 

■会場:『ちよだプラットフォームスクウェア』 (東京都千代田区)

■受講料:48,000円(税込、資料付き/1人)

■主催:(株)シーエムシー・リサーチ

■講師:藤岡 洋 氏  東京大学 生産技術研究所 教授

【講師経歴】
 東京大学工学部卒、カリフォルニア大学バークレー校 博士課程終了、富士通葛ホ務、
東京大学工学系研究科助手、講師、助教授を経て東京大学生産技術研究所教授

【研究歴】
 Si半導体集積回路製造プロセスに関する研究、化合物半導体結晶成長に関する研究、
化合物半導体発光素子および電子素子に関する研究

【所属学会】
 応用物理学会フェロー、日本結晶成長学会評議員、日本学術振興会結晶成長の科学と
技術第161委員会委員長

■趣旨:
 マイクロLEDは有機ELのディスプレーを置き換える次世代表示素子技術として大きな注目を
集めている。マイクロLEDディスプレーを実用化するためには、安価な大面積基板上にGaN-LED 
アレイを作製する技術を開発する必要があるが、本セミナーではスパッタリングによる窒化
ガリウム成長技術を用いた大面積フレキシブルマイクロLED作製の可能性について、この分野に
関する専門知識のない技術者にもわかるように平易に解説する。

■セミナーで得られる知識:
 窒化物LEDを用いてマイクロLEDディスプレーを実現するための現時点における技術的問題点、
その解決策の一例としてのスパッタ成膜技術、今後の技術的展望など


 ※ 適宜休憩が入ります。

1 開発の背景
 1.1 表示素子の技術的流れ
 1.2 マイクロLEDの重要性
 1.3 マイクロLED製造の技術的問題点
 1.4 スパッタGaN成長技術の利点

2 スパッタ法によるGaNの成長技術
 2.1 スパッタGaN薄膜の構造的特徴
 2.2 スパッタGaN薄膜の電気的特徴
 2.3 スパッタGaN薄膜の光学的特徴

3 スパッタ法を用いて試作したGaN素子の特性
 3.1 スパッタGaNLED素子の特性
 3.2 スパッタGaNHEMT素子の特性
 3.3 スパッタGaNMISFET素子の特性
 3.4 スパッタGaNパワー素子の特性
 3.5 スパッタGaN受光素子の特性

4 スパッタ法を用いて低価格基板上に試作したGaN素子の特性
 4.1 GaN成長用低価格基板
 4.2 金属フォイル上に作製したGaNLED素子
 4.3 ガラス基板上に作製したGaNLED素子
 4.4 ポリマーフィルム上に作製したGaN素子

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