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| 序文 |
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ULSIの将来展望と高分子材料への期待 |
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| 1. | はじめに |
| 2. | 集積回路の歩み |
| 2.1. | エレクトロニクスを支える半導体 |
| 2.2. | トランジスタの発明 |
| 2.3. | 集積回路の大規模化傾向 |
| 2.4. | プロセッサ能力の推移 |
| 2.5. | トランジスタの縮小と向上 |
| 2.6. | 集積回路の将来と問題の顕在化 |
| 3. | 集積回路の高密度化と大規模化の障害 |
| 3.1. | DRAMの革新と限界 |
| 3.1.1. | DRAM製品のサイズ縮小のトレンド |
| 3.1.2. | DRAM蓄積容量の拡大 |
| 3.1.3. | 絶縁膜材料開発の問題点 |
| 3.1.4. | DRAMセルの革新 |
| 3.2. | ゲート絶縁膜 |
| 3.2.1. | MOSFETトランジスタと電流 |
| 3.2.2. | MOSトランジスタのゲート膜厚トレンド |
| 3.2.3. | 微細化されるMOSトランジスタゲート長 |
| 3.3. | トランジスタの動作限界 |
| 3.3.1. | デバイス構造 |
| 3.3.2. | ゲート長32nmのトランジスタ |
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| 3.3.3. | トランジスタの立体化 |
| 3.3.4. | 集積回路への厳しい要求 |
| 3.3.5. | 性能向上と動作周波数 |
| 3.3.6. | 周波数の推移 |
| 3.3.7. | 配線を伝播する信号遅延モデル |
| 3.3.8. | Low−k絶縁膜の耐熱性の向上と低誘電率化 |
| 3.3.9. | 空孔を導入した誘電膜の誘電率と機械的強度 |
| 3.4. | 配線による遅延 |
| 3.4.1. | 微細化配線による遅延時間の増大 |
| 3.4.2. | 光配線の実用化 |
| 3.4.3. | 無線によるLSIチップ内のクロック分配 |
| 3.4.4. | 多層配線の損傷 |
| 3.4.5. | バリア膜の影響 |
| 3.5. | リソグラフィ |
| 4. | まとめ |
| 4.1. | プロセス・デバイスの動向 |
| 4.2. | 自問自答 |
| 4.3. | 材料革命が不可欠 |
| 4.4. | 高分子材料への期待 |
| 5. | おわりに |
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層間絶縁膜用低誘電率ボラジン−ケイ素ポリマーの開発 |
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| 1. | 層間絶縁膜材料 |
| 2. | ボラジン環 |
| 3. | ボラジン−ケイ素ポリマー |
| 4. | 新規低誘電率ポリマー材料の創出 |
| 5. | 層間絶縁膜 |
| 5.1. | 低誘電率層間絶縁膜の評価技術 |
| 5.2. | 安定な膜形成性 |
| 5.3. | 電気的性質 |
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| 5.4. | 機械的性質 |
| 5.5. | 熱的性質 |
| 5.6. | 不純物測定 |
| 5.7. | Cu拡散阻止性能 |
| 5.8. | エッチング特性 |
| 5.9. | インテグレーション |
| 6. | まとめ |
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エレクトロニクス用感光性耐熱ポリマーの合成 |
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| 1. | はじめに |
| 2. | 感光性多孔質ポリイミドの開発 |
| 2.1. | 低誘電性ポリイミドの必要性 |
| 2.2. | ポリイミドの多孔質化 |
| 2.3. | 超臨界流体抽出 |
| 2.4. | 相分離添加剤の選定 |
| 2.5. | 多孔質ポリイミドのパターン形成 |
| 2.6. | 多孔質ポリイミドの膜物性の機械特性と
電気特性 |
| 3. | 全脂環式のポリイミドの開発 |
| 3.1. | 全脂環式ポリイミドの合成 |
| 3.2. | 全脂環式ポリイミドの熱的性質・誘電率 |
| 4. | 感光性ポリベンズオキサゾール（PBO）の
新しい合成法 |
| 4.1. | 3段階を経る合成法 |
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| 4.2. | ワンステップによる合成法 |
| 4.3. | ポリベンズオキサゾールのパターン形成 |
| 5. | 反応現像画像形成 |
| 5.1. | 合成、現像、パターン形成 |
| 5.2. | 画像形成メカニズム |
| 6. | 感光性ポリフェニレンエーテル（PPE）の開発 |
| 6.1. | DNQを用いる合成法 |
| 6.2. | 化学増幅系（架橋剤と光酸発生剤）を
用いる合成法 |
| 7. | 感光性ポリナフタレンの開発 |
| 7.1. | DNQを用いる合成法 |
| 7.2. | 化学増幅系（架橋剤と光酸発生剤）を
用いる合成法 |
| 8. | おわりに |
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導電性高分子で作るプラスチックエレクトロニクス |
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| 1. | はじめに |
| 2. | ラインパターニング法 |
| 3. | プラスチックエレクトロニクスへの応用 |
| 3.1. | 液晶ディスプレイ |
| 3.2. | プッシュスイッチ |
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| 3.3. | 有機トランジスタ |
| 4. | マイクロエレクトロニクスデバイス |
| 4.1. | 高分子モーター、アクチュエータ |
| 4.2. | 導電性高分子マイクロファイバー |
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実装材料としてのエポキシ樹脂の開発動向 |
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| 1. | はじめに |
| 2. | 半導体パッケージ動向 |
| 2.1. | リードフレームパッケージの代表構造 |
| 2.2. | エリア実装型パッケージの代表構造 |
| 2.3. | パッケージ動向 |
| 2.4. | 代表的なパッケージ構造 |
| 3. | エポキシ樹脂封止材の概要と要求特性 |
| 3.1. | エポキシ樹脂封止材の概要 |
| 3.1.1. | 封止材料の構成 |
| 3.1.2. | エポキシ樹脂の代表構造 |
| 3.1.3. | フェノール樹脂硬化剤の代表構造 |
| 3.1.4. | 硬化反応 |
| 3.1.5. | 無機充填材（シリカ） |
| 3.1.6. | 難燃剤 |
| 3.1.7. | 封止材の製造方法 |
| 3.2. | エポキシ樹脂封止材への要求特性 |
| 3.2.1. | ICパッケージの後工程と封止材への要求特性 |
| 3.2.2. | 耐はんだリフロー性（不良モード） |
| 3.2.3. | クラック発生メカニズムと対策 |
| 3.2.4. | はんだリフロー試験（吸湿処理条件） |
| 4. | 鉛フリーはんだ対応手法 |
| 4.1. | 実装温度アップの影響 |
| 4.1.1. | 特性変動への影響予測 |
| 4.1.2. | 耐リフロークラック性への影響 |
| 4.2. | 260℃実装対応手法 |
| 4.2.1. | コンセプト |
| 4.2.2. | 従来のレジンシステム |
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| 4.2.3. | 鉛フリーはんだ対応レジンシステム |
| 4.2.4. | レジンシステムの比較 |
| 4.2.5. | フィラーの影響 |
| 4.2.6. | 多芳香環適用材の260℃リフロークラック性 |
| 5. | ブロム・アンチモンフリー難燃化手法 |
| 5.1. | ブロム・アンチモンフリー化手法 |
| 5.1.1. | 考え方 |
| 5.1.2. | 新規難燃剤（ブロム・アンチモン代替） |
| 5.1.3. | フィラー高充填化 |
| 5.1.4. | レジン構造の制御 |
| 5.2. | 多芳香環系樹脂の特性 |
| 5.2.1. | 多芳香環系の耐燃性 |
| 5.2.2. | 多芳香環系の難燃機構 |
| 6. | 環境対応材料 |
| 6.1. | リードフレームパッケージ用環境対応材料 |
| 6.2. | BGA・CSPパッケージ用環境対応材料 |
| 6.2.1. | 要求特性 |
| 6.2.2. | 耐はんだリフロー性 |
| 6.2.3. | パッケージ反り |
| 6.2.4. | ウエルドボイド |
| 6.2.5. | 一般特性 |
| 6.2.6. | リフロークラック性 |
| 6.2.7. | 反り、ワイヤー変形 |
| 6.2.8. | 超ファインピッチ |
| 7. | 先端パッケージ対応材料 |
| 7.1. | モールドアンダーフィル材料 |
| 7.2. | Low−k素子対応材料 |
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エレクトロニクス実装における高分子材料設計技術 |
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| 1. | はじめに |
| 2. | 高分子材料の役割と期待 |
| 3. | 高分子材料の適用事例 |
| 3.1. | フレキシブル多層回路基板（FPC）の
ワイヤーボンディング接合性検討 |
| 3.1.1. | ワイヤーボンディングの接合性 |
| 3.1.2. | ワイヤーボンディングの接合不良 |
| 3.1.3. | ワイヤーボンディングの支配因子 |
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| 3.2. | 異方性導電接続材料211 |
| 3.3. | 半導体製造工程用粘着テープ |
| 3.4. | パッケージダイシング用耐熱粘着テープ |
| 3.5. | 熱剥離粘着シート |
| 4. | 有機分子／金属界面の
接着エネルギー計算事例紹介 |
| 5. | 21世紀エレクトロニクス社会への期待と課題 |
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