■ 世界レベルで研究開発が進行する量子ドットの最新動向を収録。 ■ 応用展開が期待される太陽電池、レーザ、情報通信デバイス、単電子トランジスタの動向も網羅。 ■ 国内第一線の研究者がここに集結！ 2011年3月 本体47,600円＋税 440頁 B5 ISBN 978-4-86043-376-5 執筆者　計41名 　 総 論 量子ドットが創るナノエレクトロニクス、ナノフォトニクス 　 第1編　基礎編 作製技術 第1節 高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成 第2節 超高密度半導体量子ドット形成技術の開発 第3節 スピン量子ビットの実装に向けた半導体量子ドットの作製 第4節 SiGe量子ドットのエピタキシャル成長 第5節 As2分子線によるInGaAs量子ドット超格子の作製 物性制御 第1節 スピンに依存した新しい電流制御を可能にするg因子の異なる2種の量子ドットによる電子透過・捕獲現象 第2節 トップゲートとサイドゲートによるシリコン結合量子ドットの静電結合制御 第3節 微小共振器-量子ドットとの結合による励起子状態の制御 第4節 自己組織化量子ドットにおける高効率スピン注入とその制御技術 第5節 炭素原子1層のシートを用いた結合量子ドット素子作製における制御技術 解析・構造評価 第1節 GaAs2重量子ドットに閉じ込められた2電子スピン状態の電気的測定 第2節 STMBEによるInAs量子ドット成長表面の原子レベルその場STM観察 第3節 MMGeを用いて形成したGe・SiCナノドットの構造評価 第4節 MOCVD法によるGa（In）NAs系材料を用いたInAs量子ドットの形成・発光特性評価 第5節 微小角入射X線回折法（GIXD法）による円柱型InAs/GaAs量子ドット構造の評価 　 　 第2編　応用編 太陽電池 総 説 量子ドットを用いた第三世代太陽電池開発の最新動向と課題 第1節 光化学的手法を用いた硫化物半導体量子ドット担持TiO2の合成とその太陽電池への応用 第2節 増感剤に�U-　族化合物半導体量子ドットを用いた太陽電池への応用 第3節 界面制御による半導体量子ドット増感太陽電池の高効率化 レーザ 総 説 量子ドットレーザ開発の最新動向と課題 第1節 毎秒25ギガビットの高速データ通信を実現した量子ドットレーザの開発 第2節 Ge量子ドットを用いた高効率室温発光素子の開発 第3節 サブナノ層間分離技術によるOバンドInAs/InGaAs量子ドットレーザ 第4節 ナノ共振器と単一半導体量子ドットを組み込んだ単一人工原子レーザ光源の開発 第5節 MOVPE選択成長とダブルキャップ法を用いた広帯域量子ドットLED 情報通信デバイス 総 説 量子ドット情報通信デバイス開発の最新動向と課題 第1節 量子情報通信・処理の実現に向けた高効率固体量子位相ゲート 第2節 量子暗号通信をターゲットとした通信波長帯単一光源の開発 第3節 光子および電子スピンを利用した量子情報・通信デバイスの開発 第4節 通信波長帯における歪補償量子ドットの励起子コヒーレンス 単電子トランジスタ 総 説 単電子トランジスタ開発の最新動向と課題 第1節 単一量子ドットトランジスタの量子伝導とその応用 第2節 原子間力顕微鏡を用いた自己形成InAs量子ドット単電子トランジスタの作製 第3節 Si量子ドットを用いた単電子トランジスタの研究 　 量子ドットエレクトロニクスの最前線 Copyright　(C) 2011　NTS Inc. All right reserved.