応用物理
世界レベルで研究開発が進行する量子ドットの最新動向を収録。
応用展開が期待される太陽電池、レーザ、情報通信デバイス、単電子トランジスタの動向も網羅。
国内第一線の研究者がここに集結!
2011年3月
本体47,600円+税
440頁
B5
ISBN 978-4-86043-376-5
 
執筆者 計41名
 
総 論 量子ドットが創るナノエレクトロニクス、ナノフォトニクス
 
第1編 基礎編

作製技術
第1節
高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成
第2節
超高密度半導体量子ドット形成技術の開発
第3節
スピン量子ビットの実装に向けた半導体量子ドットの作製
第4節
SiGe量子ドットのエピタキシャル成長
第5節
As2分子線によるInGaAs量子ドット超格子の作製

物性制御
第1節
スピンに依存した新しい電流制御を可能にするg因子の異なる2種の量子ドットによる電子透過・捕獲現象
第2節
トップゲートとサイドゲートによるシリコン結合量子ドットの静電結合制御
第3節
微小共振器-量子ドットとの結合による励起子状態の制御
第4節
自己組織化量子ドットにおける高効率スピン注入とその制御技術
第5節
炭素原子1層のシートを用いた結合量子ドット素子作製における制御技術

解析・構造評価
第1節
GaAs2重量子ドットに閉じ込められた2電子スピン状態の電気的測定
第2節
STMBEによるInAs量子ドット成長表面の原子レベルその場STM観察
第3節
MMGeを用いて形成したGe・SiCナノドットの構造評価
第4節
MOCVD法によるGa(In)NAs系材料を用いたInAs量子ドットの形成・発光特性評価
第5節
微小角入射X線回折法(GIXD法)による円柱型InAs/GaAs量子ドット構造の評価
 
 
第2編 応用編

太陽電池
総 説
量子ドットを用いた第三世代太陽電池開発の最新動向と課題
第1節
光化学的手法を用いた硫化物半導体量子ドット担持TiO2の合成とその太陽電池への応用
第2節
増感剤にU- 族化合物半導体量子ドットを用いた太陽電池への応用
第3節
界面制御による半導体量子ドット増感太陽電池の高効率化

レーザ
総 説
量子ドットレーザ開発の最新動向と課題
第1節
毎秒25ギガビットの高速データ通信を実現した量子ドットレーザの開発
第2節
Ge量子ドットを用いた高効率室温発光素子の開発
第3節
サブナノ層間分離技術によるOバンドInAs/InGaAs量子ドットレーザ
第4節
ナノ共振器と単一半導体量子ドットを組み込んだ単一人工原子レーザ光源の開発
第5節
MOVPE選択成長とダブルキャップ法を用いた広帯域量子ドットLED

情報通信デバイス
総 説
量子ドット情報通信デバイス開発の最新動向と課題
第1節
量子情報通信・処理の実現に向けた高効率固体量子位相ゲート
第2節
量子暗号通信をターゲットとした通信波長帯単一光源の開発
第3節
光子および電子スピンを利用した量子情報・通信デバイスの開発
第4節
通信波長帯における歪補償量子ドットの励起子コヒーレンス

単電子トランジスタ
総 説
単電子トランジスタ開発の最新動向と課題
第1節
単一量子ドットトランジスタの量子伝導とその応用
第2節
原子間力顕微鏡を用いた自己形成InAs量子ドット単電子トランジスタの作製
第3節
Si量子ドットを用いた単電子トランジスタの研究
 
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