○監訳にあたって
○翻訳にあたって
 
序言
 

 テラヘルツテクノロジー概論
1まえがき
2背景
3テラヘルツ波の応用
4テラヘルツ波の部品
4.1センサー
4.1.1ヘテロダイン半導体
4.1.2ヘテロダイン超伝導素子
 
4.1.3直接検出素子
4.2テラヘルツ波源
4.2.1アップコンバータ
4.2.2電子管,レーザー,光ダウンコンバータ
5未来の応用と結びのことば
 参考・引用文献
 

 テラヘルツ波発生源のための2端子能動デバイス
1まえがき
2発振器としての2端子負性抵抗デバイス
3製作技術および発振器回路
4固体2端子負性抵抗デバイスの基本特性
4.1トンネルデバイス
4.2Gunn効果デバイス
4.3トランジットタイム(走行時間)デバイス
(1)IMPATTモード
(2)TUNNETTおよびBARITTモード
 
(3)MITATTモード
(4)QWITTモード
4.4トランジットタイムダイオードのデバイス構造
5固体2端子負性抵抗デバイスの雑音特性
6真空TUNNETTデバイス
7BT3D(バリスティックトンネリングトランジットタイムデバイス)の基本特性
8まとめ
 参考・引用文献
 

 テラヘルツ応用のための周波数逓倍器および高調波発生器技術
1まえがき
2概論
32倍波発生器
43倍波発生器
4.1回路の対称を使う3倍波発生器
4.2デバイスの対称を使う3倍波発生器
4.3ヘテロ構造バリヤバラクタ(HBV)を使う3倍波発生器
4.3.1HBVの材料系
 
4.3.2HBVの回路モデル
4.3.3HBVデバイスの構造と製作
4.3.4HBVベースの周波数逓倍器
5高次逓倍器
6分布周波数逓倍器
7テラヘルツ測帯波発生器
8まとめ
 参考・引用文献
 

 超高周波増幅器のためのInPベースのサブミクロンヘテロ接合バイポーラトランジスタ
1まえがき
2HBTの形状縮尺
2.1ftの決定因子
3TSHBT
3.1成長と加工
4高周波数デバイスの測定
4.1超高周波数の測定システム
4.2オンウエハ較正
 
5デバイスの結果
5.1デバイスのモデル化
6HBT増幅器
6.1増幅器の設計
6.2増幅器の結果
7まとめ
 参考・引用文献
 

 超高速光伝導体におけるフォトミキシングを用いたテラヘルツの発生
1まえがき
1.1固体テラヘルツ発生源のチャレンジ
1.2超高速光導電体におけるフォトミキシング
2フォトミキサー技術
2.1材料と製作
2.2直流電気特性
2.3静電気学とキャパシタンス
2.4駆動用レーザーとその結合
2.5交互交叉電極構造体におけるフォトミキシング
2.6テラヘルツアンテナ
2.7自由空間への結合
2.8テラヘルツ出力の測定
3フォトミキシングの理論
3.1光波混合(フォトニック混合)
3.2光電伝達関数
3.3集積光電流
3.4熱的効果
3.5テラヘルツ回路の効果
 
4実験結果および理論との比較
4.1直流特性と光電流
4.2広帯域テラヘルツ波の出力
4.3共鳴テラヘルツ波の出力
4.4予定外の効果
5改良型フォトミキサー
5.1フォトミキサーの最適化:広帯域負荷
5.2フォトミキサーの最適化:共鳴負荷
5.3共鳴光共振器フォトミキサー(ROCP)
5.4分布フォトミキサー
5.51.55オm用のフォトミキサー
5.62次元アレイへの拡張
6応用例
6.1実験室分光
6.2テラヘルツセンサーと計測への応用
7まとめ
 参考・引用文献
 

 シリコン−ゲルマニウム量子カスケードレーザー
1まえがき
2サブバンド間レーザーにおけるSiGeの長所と欠点
3仮想シリコン基板上の緩和SiGeの利点
4理論とシミュレーション技術
5表面発光SiGe量子カスケードレーザー
6端面発光Si/SiGe量子カスケードレーザー
7超格子SiGe量子カスケードレーザーおよび量子並列レーザー
 
8SiGeレーザーの他のアイデア:フォノン励起レーザー(PPL)
9これまでに得られた実験的進展
10Si-に立脚した光電テラヘルツチップの展望
11まとめ
 参考・引用文献
 

 プラズマ波エレクトロニクス
1まえがき
2プラズマ波の振動
3電界効果トランジスタ(FET)の中のプラズマ波
4プラズマ波の不安定性
5不安定条件
 
6テラヘルツ放射の検出器とミキサー
7プラズマ振動の共鳴励起を用いるテラヘルツフォトミキサー
8まとめ
 参考・引用文献
 

 テラヘルツ波センシングとイメージング
1まえがき
2連続発振型テラヘルツシステム
2.1序論
2.2熱的波源
2.3フォトニクス波源
2.3.1自由電子レーザー
2.3.2気体・蒸気レーザー
2.3.3半導体レーザー
2.4非線形光学過程
2.5バイアスされた半導体における光混合
2.6電子を使う波源
2.7検出
3テラヘルツ超短パルス分光計
3.1序論
3.2パルスシステム
3.3発生法
3.3.1光導電アンテナ(PCA)
3.3.2光整流
3.3.3パルス光混合
3.3.4光励起半導体および超伝導体
3.4テラヘルツ超短パルスの検出
3.4.1光導電を使ったサンプリング
3.4.2電気光学を使ったサンプリング(EOS)
3.4.3磁気光学を使ったサンプリング
3.5テラヘルツ超短パルスの伝播
3.5.1伝播フィルター
3.5.2伝送と反射
3.5.3トランシーバー
3.5.4導波路
4センシング
 
4.1序論
4.2時間領域テラヘルツ分光
4.2.1透過分光
4.2.2反射分光
4.2.3角度測定
4.2.4楕円率測定
4.2.5差分測定
4.2.6干渉測定
4.2.7導波路共振器
4.2.8数値的フーリエスペクトル
4.3テラヘルツ波による材料研究
4.3.1気体および蒸気
4.3.2液体
4.3.3固体
4.3.4生体物質
4.4レーダーおよび距離測定
4.5テラヘルツ波による活性の誘起
5イメージング
5.1序論
5.2走査イメージングおよび合成アパーチャイメージング
5.3PCAアレイイメージング
5.4EOS CCDイメージング
5.5トモグラフィ
5.6近接場イメージング
5.7測定速度
5.8誘電体物質のイメージング
5.9分類の検出方法
6まとめ
 参考・引用文献
 

 テラヘルツパルスによる多点測定(マルチスタティック)反射イメージング
1まえがき
2テラヘルツ時間領域分光計
32次元マイグレーション
4再生画像の解像度
 
5センブランスを使った伝播速度の予測
6まとめ
 参考・引用文献
 
索引
 
Copyright (C) 2006 NTS Inc. All right reserved.