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○監訳にあたって ○翻訳にあたって |
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序言 |
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テラヘルツテクノロジー概論 |
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1 | まえがき |
2 | 背景 |
3 | テラヘルツ波の応用 |
4 | テラヘルツ波の部品 |
4.1 | センサー |
4.1.1 | ヘテロダイン半導体 |
4.1.2 | ヘテロダイン超伝導素子 |
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4.1.3 | 直接検出素子 |
4.2 | テラヘルツ波源 |
4.2.1 | アップコンバータ |
4.2.2 | 電子管,レーザー,光ダウンコンバータ |
5 | 未来の応用と結びのことば |
| 参考・引用文献 |
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テラヘルツ波発生源のための2端子能動デバイス |
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1 | まえがき |
2 | 発振器としての2端子負性抵抗デバイス |
3 | 製作技術および発振器回路 |
4 | 固体2端子負性抵抗デバイスの基本特性 |
4.1 | トンネルデバイス |
4.2 | Gunn効果デバイス |
4.3 | トランジットタイム(走行時間)デバイス |
(1) | IMPATTモード |
(2) | TUNNETTおよびBARITTモード |
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(3) | MITATTモード |
(4) | QWITTモード |
4.4 | トランジットタイムダイオードのデバイス構造 |
5 | 固体2端子負性抵抗デバイスの雑音特性 |
6 | 真空TUNNETTデバイス |
7 | BT3D(バリスティックトンネリングトランジットタイムデバイス)の基本特性 |
8 | まとめ |
| 参考・引用文献 |
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テラヘルツ応用のための周波数逓倍器および高調波発生器技術 |
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1 | まえがき |
2 | 概論 |
3 | 2倍波発生器 |
4 | 3倍波発生器 |
4.1 | 回路の対称を使う3倍波発生器 |
4.2 | デバイスの対称を使う3倍波発生器 |
4.3 | ヘテロ構造バリヤバラクタ(HBV)を使う3倍波発生器 |
4.3.1 | HBVの材料系 |
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4.3.2 | HBVの回路モデル |
4.3.3 | HBVデバイスの構造と製作 |
4.3.4 | HBVベースの周波数逓倍器 |
5 | 高次逓倍器 |
6 | 分布周波数逓倍器 |
7 | テラヘルツ測帯波発生器 |
8 | まとめ |
| 参考・引用文献 |
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超高周波増幅器のためのInPベースのサブミクロンヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
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1 | まえがき |
2 | HBTの形状縮尺 |
2.1 | ftの決定因子 |
3 | TSHBT |
3.1 | 成長と加工 |
4 | 高周波数デバイスの測定 |
4.1 | 超高周波数の測定システム |
4.2 | オンウエハ較正 |
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5 | デバイスの結果 |
5.1 | デバイスのモデル化 |
6 | HBT増幅器 |
6.1 | 増幅器の設計 |
6.2 | 増幅器の結果 |
7 | まとめ |
| 参考・引用文献 |
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超高速光伝導体におけるフォトミキシングを用いたテラヘルツの発生 |
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1 | まえがき |
1.1 | 固体テラヘルツ発生源のチャレンジ |
1.2 | 超高速光導電体におけるフォトミキシング |
2 | フォトミキサー技術 |
2.1 | 材料と製作 |
2.2 | 直流電気特性 |
2.3 | 静電気学とキャパシタンス |
2.4 | 駆動用レーザーとその結合 |
2.5 | 交互交叉電極構造体におけるフォトミキシング |
2.6 | テラヘルツアンテナ |
2.7 | 自由空間への結合 |
2.8 | テラヘルツ出力の測定 |
3 | フォトミキシングの理論 |
3.1 | 光波混合(フォトニック混合) |
3.2 | 光電伝達関数 |
3.3 | 集積光電流 |
3.4 | 熱的効果 |
3.5 | テラヘルツ回路の効果 |
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4 | 実験結果および理論との比較 |
4.1 | 直流特性と光電流 |
4.2 | 広帯域テラヘルツ波の出力 |
4.3 | 共鳴テラヘルツ波の出力 |
4.4 | 予定外の効果 |
5 | 改良型フォトミキサー |
5.1 | フォトミキサーの最適化:広帯域負荷 |
5.2 | フォトミキサーの最適化:共鳴負荷 |
5.3 | 共鳴光共振器フォトミキサー(ROCP) |
5.4 | 分布フォトミキサー |
5.5 | 1.55オm用のフォトミキサー |
5.6 | 2次元アレイへの拡張 |
6 | 応用例 |
6.1 | 実験室分光 |
6.2 | テラヘルツセンサーと計測への応用 |
7 | まとめ |
| 参考・引用文献 |
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シリコン−ゲルマニウム量子カスケードレーザー |
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1 | まえがき |
2 | サブバンド間レーザーにおけるSiGeの長所と欠点 |
3 | 仮想シリコン基板上の緩和SiGeの利点 |
4 | 理論とシミュレーション技術 |
5 | 表面発光SiGe量子カスケードレーザー |
6 | 端面発光Si/SiGe量子カスケードレーザー |
7 | 超格子SiGe量子カスケードレーザーおよび量子並列レーザー |
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8 | SiGeレーザーの他のアイデア:フォノン励起レーザー(PPL) |
9 | これまでに得られた実験的進展 |
10 | Si-に立脚した光電テラヘルツチップの展望 |
11 | まとめ |
| 参考・引用文献 |
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プラズマ波エレクトロニクス |
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1 | まえがき |
2 | プラズマ波の振動 |
3 | 電界効果トランジスタ(FET)の中のプラズマ波 |
4 | プラズマ波の不安定性 |
5 | 不安定条件 |
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6 | テラヘルツ放射の検出器とミキサー |
7 | プラズマ振動の共鳴励起を用いるテラヘルツフォトミキサー |
8 | まとめ |
| 参考・引用文献 |
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テラヘルツ波センシングとイメージング |
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1 | まえがき |
2 | 連続発振型テラヘルツシステム |
2.1 | 序論 |
2.2 | 熱的波源 |
2.3 | フォトニクス波源 |
2.3.1 | 自由電子レーザー |
2.3.2 | 気体・蒸気レーザー |
2.3.3 | 半導体レーザー |
2.4 | 非線形光学過程 |
2.5 | バイアスされた半導体における光混合 |
2.6 | 電子を使う波源 |
2.7 | 検出 |
3 | テラヘルツ超短パルス分光計 |
3.1 | 序論 |
3.2 | パルスシステム |
3.3 | 発生法 |
3.3.1 | 光導電アンテナ(PCA) |
3.3.2 | 光整流 |
3.3.3 | パルス光混合 |
3.3.4 | 光励起半導体および超伝導体 |
3.4 | テラヘルツ超短パルスの検出 |
3.4.1 | 光導電を使ったサンプリング |
3.4.2 | 電気光学を使ったサンプリング(EOS) |
3.4.3 | 磁気光学を使ったサンプリング |
3.5 | テラヘルツ超短パルスの伝播 |
3.5.1 | 伝播フィルター |
3.5.2 | 伝送と反射 |
3.5.3 | トランシーバー |
3.5.4 | 導波路 |
4 | センシング |
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4.1 | 序論 |
4.2 | 時間領域テラヘルツ分光 |
4.2.1 | 透過分光 |
4.2.2 | 反射分光 |
4.2.3 | 角度測定 |
4.2.4 | 楕円率測定 |
4.2.5 | 差分測定 |
4.2.6 | 干渉測定 |
4.2.7 | 導波路共振器 |
4.2.8 | 数値的フーリエスペクトル |
4.3 | テラヘルツ波による材料研究 |
4.3.1 | 気体および蒸気 |
4.3.2 | 液体 |
4.3.3 | 固体 |
4.3.4 | 生体物質 |
4.4 | レーダーおよび距離測定 |
4.5 | テラヘルツ波による活性の誘起 |
5 | イメージング |
5.1 | 序論 |
5.2 | 走査イメージングおよび合成アパーチャイメージング |
5.3 | PCAアレイイメージング |
5.4 | EOS CCDイメージング |
5.5 | トモグラフィ |
5.6 | 近接場イメージング |
5.7 | 測定速度 |
5.8 | 誘電体物質のイメージング |
5.9 | 分類の検出方法 |
6 | まとめ |
| 参考・引用文献 |
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テラヘルツパルスによる多点測定(マルチスタティック)反射イメージング |
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1 | まえがき |
2 | テラヘルツ時間領域分光計 |
3 | 2次元マイグレーション |
4 | 再生画像の解像度 |
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5 | センブランスを使った伝播速度の予測 |
6 | まとめ |
| 参考・引用文献 |
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索引 |
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