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エレクトロニクスにおけるスケーリングの追求と絶縁膜の技術・科学的課題 |
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| 第1章 | 絶縁膜の超薄膜化ニーズ （岩井 洋） |
| 1. | はじめに |
| 2. | 集積回路におけるトランジスタの微細化の必要性 |
| 3. | トランジスタ微細化の問題点とその解決策 |
| 4. | スケーリング則 |
| 5. | MOSFET ゲート絶縁膜の超薄膜化ニーズ |
| 6. | その他の絶縁膜の超薄膜化ニーズ |
| 7. | まとめ |
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| 第2章 | 絶縁体超薄膜における量子界面物性の基礎的諸問題 （長谷川 英機） |
| 1. | high −κ絶縁体薄膜を持つMOS 構造とその界面電子物性 |
| 2. | 金属−半導体および金属−絶縁体界面におけるフェルミ準位ピンニング |
| 3. | 絶縁体超薄膜と半導体の界面におけるバンドの相互配置 |
| 4. | 絶縁体超薄膜と半導体の界面における界面欠陥準位とその制御 |
| 5. | おわりに |
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絶縁超薄膜技術〜分子設計・加工・評価〜 |
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| 第1章 | ゲートスタック絶縁膜設計研究 |
| 第1節 | 次世代ゲート絶縁膜の材料設計とその応用 （知京 豊裕/生田目 俊秀/関口 隆史/ Chen Jun /若山 裕） |
| 1. | 次世代集積回路のゲート絶縁膜の抱える課題 |
| 2. | high −κ材料の設計指針：電子構造と結晶構造から見た材料選択 |
| 3. | high −κ/SiO2 界面の制御 |
| 4. | 欠陥の視覚化 |
| 5. | high −κのSi への直接接合 |
| 6. | 酸化物の電子構造とバンドオフセット |
| 7. | high −κ材料と新材料との融合：分子メモリへの挑戦 |
| 8. | ゲート絶縁膜を巡る最近の話題と今後の課題 |
| 第2節 | 原子層制御界面とエピタキシャル成長HfO2 ゲート絶縁膜による高性能ゲートスタックの創製技術 （太田 裕之/右田 真司/森田 行則） |
| 1. | はじめに |
| 2. | HfO2 直接成長のためのSi 表面処理技術 |
| 3. | エピタキシャル成長によるSi 表面へのHfO2 絶縁膜の直接成長 |
| 4. | おわりに |
| 第3節 | X 線光電子分光と第一原理分子軌道計算によるMOS 界面局所構造の物性研究〜誘電率と絶縁破壊電界〜 （廣瀬 和之/小林 大輔） |
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| 1. | MOSFET の局所構造の物性 |
| 2. | X 線光電子分光による誘電率の推定法 |
| 3. | 第一原理分子軌道計算による光学的誘電率の推定 |
| 4. | 第一原理分子軌道計算による絶縁破壊電界の推定 |
| 5. | まとめ |
| 第2章 | 評価と評価技術 |
| 第1節 | EUPS による絶縁膜表面・界面の精密評価 （富江 敏尚） |
| 1. | はじめに |
| 2. | EUPS を用いた、絶縁超薄膜の膜質・界面の精密評価法測定例 |
| 3. | EUPS で絶縁超薄膜の膜質・界面の精密評価法を可能にする原理 |
| 4. | おわりに |
| 第2節 | 誘電体表面付近の電荷密度分布シミュレーション （村田 英一/野田 啓介/石原 嘉隆/下山 宏/須原 浩之/田中 宏昌） |
| 1. | はじめに |
| 2. | 電子光学装置とV th 分布 |
| 3. | 複合誘電体系における境界電荷法 |
| 4. | 誘電体表面電荷密度分布シミュレーション |
| 5. | 計算結果と検証 |
| 6. | まとめ |
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ポストシリコン・トランジスタとゲート絶縁膜 |
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| 第1章 | カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜（大野 雄高） |
| 1. | はじめに |
| 2. | CNFET |
| 3. | high −κ絶縁膜界面と素子特性 |
| 4. | おわりに |
| 第2章 | グラフェンチャネルFET のゲートスタック技術 （尾辻 泰一） |
| 1. | はじめに |
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| 2. | グラフェンチャネルFET の基本動作特性と高性能化への課題 |
| 3. | ゲートスタック技術 |
| 4. | まとめ |
| 第3章 | Ge − MOS 対応ジルコニアhigh −κゲートスタックの形成 （中島 寛） |
| 1. | はじめに |
| 2. | 実験方法 |
| 3. | 結果と考察 |
| 4. | おわりに |
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層間絶縁膜 |
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| 第1章 | low −κ薄膜絶縁材料開発 （工藤 一秋） |
| 1. | はじめに |
| 2. | 層間絶縁膜材料 |
| 3. | ILD 用low −κ材料開発の推移 |
| 4. | おわりに |
| 第2章 | 無機高分子系多孔質low −κ層間絶縁膜材料NCS の開発 （矢野 映/中田 義弘/中村 友二） |
| 1. | はじめに |
| 2. | 代表的な絶縁材料 |
| 3. | 無機高分子系多孔質low −κ層間絶縁膜材料の課題 |
| 4. | 無機高分子系多孔質low −κ層間絶縁膜材料NCS の開発コンセプトと特性 |
| 5. | Cu/NCS多層配線形成時の課題と対策 |
| 6. | Cu/NCS多層配線の性能 |
| 7. | おわりに |
| 第3章 | ポリイミドナノ粒子による次世代low −κ膜生成 （石坂 孝之/笠井 均/及川 英俊） |
| 1. | はじめに |
| 2. | 低誘電率膜作製に対する研究例 |
| 3. | 再沈法によるポリイミドナノ構造体の作製 |
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| 4. | low−κナノ粒子膜の作製 |
| 5. | おわりに |
| 第4章 | ポリイミド代替指向〜 多孔性low −κポリベンゾオキサゾール絶縁膜材料の開発〜 （福丸 貴弘/藤ヶ谷剛彦/中嶋 直敏） |
| 1. | はじめに |
| 2. | PPBO 前駆体（t−Boc−prePBO）の合成 |
| 3. | t−Boc−prePBOフィルムおよびPPBO フィルムの作製および評価 |
| 4. | 光酸発生剤を用いたt−Boc−prePBOフィルムのパターニング |
| 5. | おわりに |
| 第5章 | エポキシ系層間絶縁フィルムの開発 （中村 茂雄） |
| 1. | 概要 |
| 2. | エポキシ系層間絶縁フィルムの開発 |
| 3. | エポキシ系層間絶縁フィルム（ABF；Ajinomoto Build − up Film） |
| 4. | ABF 新開発品 |
| 5. | ガラスクロスとの複合材料 |
| 6. | 極薄銅転写フィルムつきABF |
| 7. | おわりに |
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絶縁膜形成とエッチング |
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| 第1章 | ナノエレクトロニクスを支える先端成膜技術 （斎藤 秀俊） |
| 1. | 昔の薄膜形成に見る薄膜形成の基本的な考え方 |
| 2. | 現代の薄膜 |
| 3. | 薄膜形成技術の分類 |
| 4. | PVD法 |
| 5. | CVD法 |
| 6. | レイヤーエピタキシー法 |
| 7. | おわりに |
| 第2章 | 材料の構造設計可能な低温・低損傷・中性粒子ビーム励起堆積技術 （寒川 誠二） |
| 1. | はじめに |
| 2. | 中性粒子ビーム生成装置 |
| 3. | 中性粒子ビーム励起絶縁膜堆積技術コンセプト |
| 4. | 超低誘電率膜の実現 |
| 5. | 中性粒子ビームによるSi およびGe低温高品質酸化技術 |
| 6. | まとめ |
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| 第3章 | ゲート絶縁膜形成技術〜 高性能high−κ絶縁膜ゲートスタック構造構築と成膜条件（high −κ/Ge 系を事例として） （田岡 紀之/財満 鎭明） |
| 1. | はじめに |
| 2. | Ge酸化物の特性 |
| 3. | Ge MOS界面の界面層による特性制御 |
| 4. | まとめと今後の課題 |
| 第4章 | high−κ膜のドライエッチング （斧 高一） |
| 1. | はじめに |
| 2. | high−κ絶縁膜材料のエッチング |
| 3. | BCl3プラズマによるHfO2エッチング |
| 4. | メタル電極材料のエッチング |
| 5. | おわりに |
| 第5章 | 層間絶縁膜の成膜とエッチング （石川 健治/堀 勝） |
| 1. | はじめに |
| 2. | ナノエレクトロクスにおける配線形成プロセス |
| 3. | 層間絶縁膜の成膜 |
| 4. | 層間絶縁膜のエッチング |
| 5. | デバイス特性への影響 |
| 6. | まとめ |
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ナノエレクトロニクスと絶縁膜技術展望 （鳥海 明） |
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| 1. | 絶縁膜の性質と意味 |
| 2. | 界面特性を変調させる絶縁膜 |
| 3. | 絶縁膜の電気的信頼性と新機能性 |
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