世界的に定評のあるFundamentals of Modern VLSI Devicesの
第3版の翻訳書．改訂にあたっては，全体の構成も見直し，学
びやすいように順序立てを行っている．さらに，高誘電率 
(high-κ) ゲート絶縁膜，メタルゲート技術，ひずみシリコン
移動度，MOSFETの非GCAモデリング，短チャネルFinFET，および
SOI上の対称横型バイポーラトランジスタといった話題が新たに
追加されている．電子デバイスの開発や研究に携わる技術者，
研究者，学生に向けた座右の書．

本書は『タウア・ニン 最新VLSIの基礎 第2版』（2013年1月刊）
の改訂版です。

原書：『Fundamentals of Modern VLSI Devices Third edition』
　　　　(Cambridge University Press,2021)
原著者：Yuan Taur、Tak H. Ning