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口絵 |
出版にあたって |
編集委員会を代表して |
執筆者一覧 |
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第1編 基礎編 |
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総論 |
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第1節 表面の定義 |
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第2節 理想表面と現実表面 |
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表面の結晶学 |
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第1節 結晶表面の面指数と方向指数 |
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第2節 二次元のブラベー格子;並進群と五つの平面格子 |
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第3節 点群と面群 |
1. | 対称要素と対称操作 |
2. | 回転,鏡映対称操作とその組み合わせ (10の点群) |
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第4節 二次元格子の表記法 |
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第5節 二次元の逆格子とエワルドの構成 |
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表面構造 |
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第1節 はじめに |
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第2節 緩和構造 |
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第3節 再構成構造 |
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第4節 各種表面の構造 |
1. | イオン結晶表面 |
2. | 半導体表面の再構成構造と緩和構造 |
3. | 金属表面 |
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4. | 酸化物表面 |
5. | その他の物質表面:層状物質,有機導電体,超微粒子,ナノチューブ |
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第5節 異種物質吸着表面の構造 |
1. | 吸着サイト |
2. | 半導体表面上の吸着再構成構造 −金属原子吸着を中心に− |
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3. | 金属表面上の吸着:CO,O, 金属原子などの吸着子 |
4. | その他の吸着構造 (グラファイト上の希ガス原子など) |
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第6節 表面トポグラフ |
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表面の電子状態およびエネルギー |
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第1節 三次元バルクの原子配列と電子状態 |
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第2節 表面の原子配列と電子状態の基礎 |
1. | 表面におけるブロッホの定理 |
2. | 表面の存在にともなって発生する表面順位 |
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第3節 さまざまな物質の表面の電子状態 |
1. | はじめに |
2. | 金属表面の電子状態 |
3. | 半導体表面の電子状態 |
4. | 酸化物表面の電子状態 |
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5. | その他の物質表面の電子状態 |
6. | 吸着子のある表面の電子状態 |
7. | 表面磁性 |
8. | 超伝導体表面 |
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第4節 界面の電子状態 |
1. | 界面電子状態の基礎 |
2. | 金属/半導体界面 |
3. | 金属/絶縁体界面 |
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4. | 半導体/半導体界面 |
5. | その他の界面 |
6. | 界面磁性 |
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表面物性 |
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第1節 表面のトンネル現象,電気伝導 |
1. | トンネル現象の基礎 |
2. | 表面のトンネル現象 |
3. | 表面の電界放射 |
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4. | 走査トンネル顕微鏡の理論 |
5. | 表面の電気伝導 |
6. | 界面の伝導現象 |
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第2節 仕事関数 |
1. | 仕事関数とは? |
2. | 仕事関数の理論 |
3. | 仕事関数の測定法 |
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第3節 表面の素励起 |
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表面・ナノ構造の励起過程 |
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第1節 電子励起過程 |
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第2節 表面の電子遷移 |
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第3節 表面・ナノ構造の格子振動 |
1. | 調和近似と一次元鎖格子モデル |
2. | 表面局在モード |
3. | 三次元格子モデル |
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第4節 表面・ナノ構造の光学的性質と素励起 |
1. | 誘電関数と光応答 |
2. | 光学スペクトルと素励起 |
3. | 局在エキシトン |
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第5節 表面・ナノ構造のスピン関連物性 |
1. | 表面・界面におけるスピンと相互作用 |
2. | 局在マグノンモード |
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表面の熱・統計力学 |
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第1節 熱力学と統計力学の基礎 |
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第2節 表面の熱力学 |
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第3節 吸着相の熱力学 |
1. | ラングミュアの関係式 |
2. | 表面吸着相が存在するときの熱力学 |
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第4節 表面原子プロセスにおける熱・統計力学 |
1. | 過飽和状態と核形成 |
2. | 核形成の自由エネルギー |
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3. | ステップの蛇行とキンクの形成 |
4. | ステップのバンチング |
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第5節 表面張力 |
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表面の動的過程 |
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第1節 はじめに |
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第2節 吸着速度・脱離速度 |
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第3節 表面拡散 |
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第4節 表面偏析 |
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第5節 表面反応(通常の反応過程) |
1. | はじめに |
2. | 表面の異方的反応性 |
3. | 表面の局所的反応性 |
4. | 吸着種ドメイン形成による表面反応 |
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5. | 表面反応研究における圧力ギャップ |
6. | 触媒モデル表面における構造と反応活性 |
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第6節 反応ダイナミクス240 |
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結晶成長の基礎過程 |
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第1節 結晶成長法 |
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第2節 気相過程(気相中の原料輸送) |
1. | 分子運動論 (平均自由行程,分子拡散,粘性係数など) |
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2. | 原料原子・分子のフラックス (分子流下と粘性流下) |
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第3節 核形成から膜形成 |
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第4節 成長過程 |
1. | ヘテロエピタキシー(格子不整合系,サーファクタントエピタキシーなど) |
2. | ナノ構造制御(自己組織化構造,選択成長など) |
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固液界面の基礎 |
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第1節 電気化学 |
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第2節 コロイド |
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3. | 粒子表面 |
4. | ミセル,二分子膜,ベシクル,リポソーム |
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第3節 固液界面 |
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第4節 固液界面の計測 |
1. | 固液界面計測の概観 |
2. | 分光法による固液界面計測 |
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第2編 基盤技術編 |
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真空の基礎 |
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第1節 真空技術の基礎 |
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第2節 超高真空ポンプと排気系 |
1. | はじめに |
2. | 真空ポンプの性能 |
3. | 気体輸送式真空ポンプ |
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第3節 低真空の流れと排気系 |
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第4節 真空計測と校正 |
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第5節 リークテスト |
1. | はじめに |
2. | リークテストの概要 |
3. | ヘリウムリークディテクター |
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第6節 真空材料と表面処理 |
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第7節 プロセス材料ガスと使用法 |
1. | プロセス材料ガスの特徴 |
2. | プロセス材料ガスの使用法 |
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第8節 表面分析装置の真空システム |
1. | はじめに |
2. | オージェ電子分光装置JAMP−7830F |
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3. | 超高真空電子顕微鏡JEM−2000VF(真空系) |
4. | スパッタイオンポンプ(SIP) |
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第9節 中・低真空プロセス真空システム |
1. | はじめに |
2. | 中・低真空プロセス装置の概要 |
3. | プロセスガスを導入しないプロセス装置の真空システム |
4. | 不活性ガスをプロセスガスとして導入するプロセス装置 |
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5. | 反応性ガスをプロセスガスとして導入するプロセス装置 |
6. | おわりに |
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第10節 超高真空プロセスシステム |
1. | はじめに |
2. | 低・高真空と超高真空 |
3. | 半導体プロセスと分子線エピタキシー装置 |
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第11節 機構部品 |
1. | はじめに |
2. | 気密機構 |
3. | 金属の接合技術 |
4. | 封着技術とその応用部品 |
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5. | フランジ |
6. | 軸シールと運動導入器 |
7. | 真空バルブ |
8. | 真空中の可動機構 |
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第12節 真空システムと計算機制御 |
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表面・界面の作製技術 |
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第1節 材料別表面清浄化技術 |
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第2節 薄膜・ナノ構造形成技術 |
1. | 真空蒸着法 |
2. | スパッタリングおよびプラズマ法 |
3. | 分子線エピタキシー(MBE)法
MBEの基礎
Si分子線エピタキシー(Si−MBE)
族化合物半導体MBE,MEE
族半導体のMBE |
4. | 化学気相成長法(熱CVD) |
5. | 有機金属気相成長法(MOCVD) |
6. | プラズマCVD法 |
7. | 光CVD |
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8. | レーザアブレーション法 |
9. | ナノ微粒子形成法
コロイド化学法 噴霧熱分解法
気相・真空合成法 |
10. | めっき法 |
11. | SPMによる表面ナノ構造形成 |
12. | 自己組織化による表面ナノ構造形成(Si) |
13. | 自己組織化による表面ナノ構造形成 (化合物半導体) |
14. | コンビナトリアル材料合成法 |
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計算科学 |
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第1節 表面界面における計算科学の役割 |
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3. | 古典分子動力学法と古典モンテカルロ法 |
4. | 計算科学とナノ構造研究 |
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第2節 モンテカルロシミュレーション |
1. | はじめに |
2. | モンテカルロシミュレーション法の基礎 |
3. | n−Fold法による計算の高速化 |
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4. | 理論の検証 |
5. | MBE成長条件での表面構造 |
6. | おわりに |
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第3節 経験ポテンシャル法 |
1. | 経験ポテンシャル法の基礎 |
2. | 種々の経験ポテンシャル |
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第4節 分子動力学法 |
1. | 分子動力学法の基礎 |
2. | タイトバインディング分子動力学法 |
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第5節 分子軌道法 |
1. | 電子波動関数の反対称性と交換相関項 |
2. | ハートリー・フォックの方程式 |
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3. | 配置間相互作用(CI)とMCSCF法 |
4. | 分子軌道法の適用例 |
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第6節 密度汎関数法 |
1. | 密度汎関数法の基礎 |
2. | Hohenberg−Kohnの定理 |
3. | Kohn−Shamの方程式 |
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4. | LDA法とGGA法 |
5. | Car−Parrinello法 |
6. | シミュレーションの適用例 |
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第7節 プロセスシミュレーション |
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第8節 最近の計算科学の発展 |
1. | ハイブリッド法 |
2. | 電気伝導の計算 |
3. | GW法 |
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第9節 データベース |
1. | はじめに |
2. | 第一原理計算,分子軌道法のプログラム |
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表面分析法571 |
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第1節 はじめに |
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第2節 主として電子線を用いる方法 |
1. | 電子線を照射して放出された電子を検出する方法
オージェ電子分光法(AES;SAM)
低エネルギーEELS
高分解能電子エネルギー損失分光法(HREELS,フォノン)
高分解能電子エネルギー損失分光(HREELS,吸着)
走査電子顕微鏡(SEM)
走査電子顕微鏡(STEM,マイクロサンプリング)
透過型電子顕微鏡(TEM)
低速電子回折法(LEED)
低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)
反射高速電子回折法(RHEED) |
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2. | 電子線を照射して放出されたフォトンを検出する方法
カソードルミネッセンス
電子線マイクロアナライザー(EPMA)
逆光電子分光法(IPES)
出現電位分光法(APS)と消滅電位分光法(DAPS) |
3. | 電子励起脱離 |
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第3節 主として光を用いる方法 |
1. | フォトンを照射して放出された電子を測定する方法
X線光電子分光法(XPS)
X線光電子回折(XPD)
紫外光電子分光(UPS)
光電子放出顕微鏡(PEEM)
2光子光電子分光法(2PPE) |
2. | フォトンを照射して放出されたフォトンを測定する方法
表面X線回折法(表面XRD)
赤外分光法(FT−IR)
ラマン散乱(SERS)
光音響分光法(PAS)
全反射蛍光X線分析法(TXRF)
X線吸収分光法(XAS)とX線発光分光法(XES)
広域X線吸収微細構造(EXAFS)
和周波発生法(SFG)
エリプソメトリー
表面異方性反射率スペクトロスコピー(RAS)
電子スピン共鳴法(ESR)
光学顕微鏡
SORを用いる測定法 |
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3. | フォトンを照射して放出されたイオン(原子・分子)を測定する方法
光刺激脱離(PSD)
昇温脱離法(TPD) |
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第4節 主としてイオン(原子)を用いる方法 |
1. | イオン(原子)を照射して放出された電子を測定する方法
イオン中性化分光法(INS)
準安定原子電子分光(MAES) |
2. | イオン(原子)を照射して放出されたフォトンを測定する方法
グロー放電分析法(GDS)
粒子線励起X線放出(PIXE) |
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3. | イオン(原子)を照射して放出されたイオン(原子)を測定する方法
二次イオン質量分析法など(SIMS,他)
イオン散乱
ラザフォード後方散乱法(RBS)
弾性反跳粒子検出法(ERDA)
分子線散乱 |
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第5節 ナノプローブ法 |
1. | 電界放射顕微鏡(FEM) |
2. | 電界イオン顕微鏡(FIM) |
3. | 走査トンネル顕微鏡(STM) |
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4. | 原子間力顕微鏡(AFM) |
5. | 走査型プローブ顕微鏡(SPM) |
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第6節 表面分析における重要事項837 |
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第3編 応用編 |
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半導体材料の設計・作製および評価 |
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第1節 半導体材料概論(バルクの性質・表面概論・デバイス応用) |
1. | SiおよびW族半導体 |
2. | 族化合物半導体 |
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3. | 族半導体 |
4. | アモルファス半導体 |
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第2節 半導体界面 |
1. | Si/SiO2界面
Si/SiO2界面形成の初期過程
Si/SiO2界面の構造
Siの熱酸化機構
Si表面の熱酸化
Si酸化膜の構造
極薄Si酸化膜およびSi/SiO2界面の分析 |
2. | 半導体ヘテロ界面
半導体ヘテロ接合の特徴
族半導体ヘテロ界面の形成と評価
族半導体ヘテロ界面の形成と評価
族半導体ヘテロ界面の形成と評価
その他の半導体ヘテロ界面 |
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3. | 半導体/金属界面
ショットキー障壁の形成モデル
ショットキー障壁高の測定と接合の構造
ショットキー障壁高の測定例
オーミックコンタクト |
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第3節 シリコンプロセスにおける薄膜・界面形成プロセスと評価 |
1. | Siデバイスと集積回路概論
MOSFETとバイポーラトランジスタ
作製プロセスの概論
太陽電池
その他のデバイス |
2. | クリーニング技術 |
3. | 絶縁膜形成 |
4. | 金属膜形成 |
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5. | 接合形成
拡散と不純物導入(pn接合の形成)
イオン注入法の原理
イオン注入プロセス
酸素イオン注入による素子分離技術(SIMOX) |
6. | エッチング |
7. | その他の界面形成
直接接合
放射光応用プロセス |
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第4節 化合物半導体プロセスにおける薄膜・界面形成プロセス |
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第5節 半導体のナノテクノロジー |
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金属材料の設計・作製および評価 |
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第1節 金属の表面 |
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第2節 金属の表面反応 |
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第3節 金属の表面処理 |
1. | ナノコーティング |
2. | 化成処理 |
3. | めっき |
4. | 陽極酸化 |
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第4節 金属多層膜 |
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第5節 ナノメタル |
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第6節 金属微粒子 |
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第7節 磁性材料 |
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無機材料の設計・作製および評価 |
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第1節 炭素 |
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2. | 新しい炭素素材と実用材料への展開
カーボンナノチューブ
電子源用材料
新炭素材料とエネルギー貯蔵
フラーレン
ダイヤモンド |
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第2節 金属酸化物 |
1. | 表示材料(エレクトロクロミズム) |
2. | 光磁気メモリー材料 |
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3. | 光学薄膜材料 |
4. | ナノ構造制御による機能性材料作製,酸化物人工格子 |
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第3節 セラミックス |
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第4節 ガラス |
1. | ガラスの機能化のための表面構造とその評価 |
2. | ナノ構造制御による機能発現と材料創製 (オプトエレクトロニクス材料) |
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第5節 ナノ粒子 |
1. | ナノ粒子の高次構造制御による機能発現 |
2. | 粒子表面のナノコーティング・表面修飾プロセス |
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第6節 結晶性多孔質物質 |
1. | 結晶性多孔質物質概論
メソポーラス物質
ゼオライト,粘土鉱物,その他 |
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有機材料の設計・作製および評価 |
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第1節 有機分子・超薄膜の設計・作製 |
1. | LB膜の作製 |
2. | 自己組織化単分子膜(SAM) |
3. | 電解重合膜の作製 |
4. | 蒸着膜の作製 |
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5. | その他の蒸着法 |
6. | 表面の機能化 |
7. | 有機・無機ナノ構造体形成 |
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第2節 高分子膜の形成 |
1. | 絶縁性高分子 (耐熱性,耐薬品など受動的性質全般) |
2. | 導電性高分子薄膜の形成 |
3. | 高分子超薄膜 |
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4. | 機能性高分子
デンドリマー
分離機能膜 |
5. | プロセス材料
フォトレジスト材料
印刷材料 |
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第3節 有機結晶・微粒子 |
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第4節 有機薄膜界面・表面物性 |
1. | 界面構造
有機分子膜(LB膜・セルフアセンブル膜)の配向と構造
分子性蒸着膜の配向と構造
高分子膜の表面・界面構造
界面分子膜のダイナミクス
生体分子膜の界面構造 |
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2. | 界面物性
有機単分子膜の界面電子物性
分子性有機薄膜界面の電子的構造
有機薄膜界面の光学的構造と物性
電解重合膜の界面の電気化学と物性 |
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第5節 有機電子材料 |
1. | 分子絶縁材料 |
2. | 分子配線,導電性材料 |
3. | 有機トランジスタ用材料 |
4. | 有機バッテリー材料 |
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5. | 有機センサ材料 |
6. | 有機アクチュエータ材料 |
7. | 導電性塗料 |
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第6節 表示記録材料 |
1. | 有機光非線形材料 |
2. | 液晶表示材料 |
3. | 有機EL材料 |
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4. | 光電変換材料 |
5. | デジタルペーパー |
6. | 電子写真材料 |
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第7節 メモリー材料 |
1. | 有機光メモリー (光化学ホールバーニング(PHB)など) |
2. | 光ディスク |
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3. | 有機高密度メモリー |
4. | フォトクロミック分子メモリー材料 |
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第8節 液晶材料 |
1. | 液晶材料
液晶材料一般
高分子液晶材料 |
2. | 配向材料 |
3. | 液晶のアンカリング(プレチルト角評価も含む) |
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4. | 液晶と配向 |
5. | 液晶の電気伝導
液晶のイオン伝導
液晶の電子伝導 |
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人工生体材料の設計・作製および評価 |
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第1節 人工生体材料概論 |
1. | 高齢化社会と人工生体材料 |
2. | 生体組織工学の現状 |
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第2節 生体の表面と細胞膜の性質 |
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第3節 細胞と人工材料の相互作用4 |
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第4節 生体材料・人工生体材料の表面分析法7 |
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第5節 人工歯・歯根 |
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第6節 人工骨・人工関節 |
1. | 人工関節 |
2. | 生体活性セラミックス |
3. | 生体活性の条件 |
4. | アパタイト形成の条件 |
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5. | 生体活性金属 |
6. | 生体活性有機高分子 |
7. | 吸収性骨修復材料 |
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第7節 人工皮膚・培養細胞皮膚の現状と将来像 |
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第8節 人工透析・人工腎臓 |
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第9節 人工心臓 |
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3. | 人工心臓の血液適合性 |
4. | 人工心臓用の材料に残された課題 |
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第10節 人工血管 |
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第11節 人工肝臓 |
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第12節 人工赤血球 |
1. | 酸素輸液の必要性 |
2. | ヒトヘモグロビン小胞体の構成 |
3. | ヘモグロビン小胞体の投与試験 |
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第13節 人工角膜・人工網膜 |
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第14節 かつら用人工毛髪 |
1. | はじめに |
2. | かつら用毛髪素材の種類とその特性 |
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第15節 人工膵臓 |
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第16節 人工味覚・嗅覚・聴覚 |
1. | 味覚・嗅覚と聴覚の大きな違い |
2. | 味覚センサ |
3. | 匂いセンサ |
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第17節 手術用生体吸収性材料 |
1. | はじめに |
2. | 吸収性縫合糸 |
3. | 生体組織接着剤 |
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4. | 吸収性癒着防止材 |
5. | その他の生体吸収性手術用材料 |
6. | おわりに |
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第18節 タンパク質表面科学 |
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3. | タンパク質分子表面データベース(eF−site) |
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第19節 人工酵素 |
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第20節 ドラッグデリバリーシステム |
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3. | 受動的ターゲティング |
4. | 能動的ターゲティング |
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第21節 バイオチップ・DNA膜 |
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第22節 バイオコンピュータ,DNAデバイス |
1. | 表面科学とバイオコンピュータ |
2. | バイオコンピュータ |
3. | 分子エレクトロニクス |
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4. | 分子コンピュータ |
5. | プログラム可能な自己集合 |
6. | DNAデバイス |
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電極材料の設計・作製および評価 |
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第1節 電気分解用電極 |
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第2節 電池電極 |
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第3節 表示デバイス用電極 |
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第4節 電気化学キャパシタ用電極 |
1. | はじめに |
2. | 電気二重層キャパシタ(EDLC) |
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第5節 薄膜・ナノ構造形成技術による電極材料の開発 |
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触媒材料の設計・作製および評価 |
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第1節 設計表面 |
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第2節 環境触媒 |
1. | ダイオキシン分解触媒 |
2. | 脱硝触媒 |
3. | 自動車用排ガス触媒 |
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第3節 光触媒 |
1. | 光触媒とその作用機構 |
2. | 光触媒の環境浄化への応用 |
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第4節 重合触媒 |
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第5節 酸化反応 |
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第6節 金属触媒 |
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第7節 金属酸化物触媒 |
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第8節 電極触媒反応 |
1. | はじめに |
2. | アルコールなどの燃料酸化およびCO酸化に対する貴金属触媒活性の増大 |
3. | 耐CO被毒アノード触媒の設計 |
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4. | 高活性カソード触媒の設計 |
5. | 高分散合金の腐食機構と耐腐食性の向上 |
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トライボロジー材料の設計・作製および評価 |
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第1節 トライボロジーの基礎 |
1. | はじめに |
2. | 潤滑機構 |
3. | 境界潤滑の基礎 |
4. | 摩擦の根源 |
5. | 境界潤滑膜 |
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6. | 温度の影響 |
7. | 反応と潤滑性 |
8. | トライボ化学反応 |
9. | 摩擦面の構造解析 |
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第2節 機械部品のトライボロジー |
1. | トライボロジー部品 |
2. | マイクロ/ナノトライボロジー |
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第3節 潤滑剤7 |
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第4節 マイクロトライボロジー |
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第5節 ゼロ摩擦を目指して |
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コロイド材料の設計・作製および評価 |
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第1節 コロイド材料概論 |
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第2節 エマルション材料 |
1. | エマルションの設計と作製 |
2. | ナノエマルション |
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第3節 サスペンション材料 |
1. | サスペンションの設計・作製および評価 |
2. | ナノサスペンション |
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第4節 分子集合体材料 |
1. | 分子集合体材料の設計・作製および評価 |
2. | ミセル・液晶の応用 |
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3. | 二分子膜・ベシクル・リポソームの応用 |
4. | LB膜の応用 |
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第5節 ぬれ改質剤 |
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略語一覧 |
事項索引 |
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