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近接場光学を用いたナノフォトニクスとそのための微細加工 |
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1. |
はじめに |
2. |
21世紀の社会の要求 |
3. |
ナノフォトニクスよる限界打破 |
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3.1. |
近接場光の発生と使用 |
3.2. |
微細加工 |
4. |
結論と今後の展望 |
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フェムト秒レーザーによる超微細光造形法 |
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1. |
3次元超微細光造形 |
1.1. |
ナノの世界 |
1.2. |
非線形光学によるナノフォトニクス |
1.3. |
フェムト秒レーザー |
1.4. |
光重合性樹脂 |
1.5. |
3次元ナノ微細加工 |
1.6. |
3次元機能性構造 |
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1.7. |
分解能の評価 |
1.8. |
1光子過程によるファイバ成長 |
1.9. |
3次元フォトニック結晶 |
2. |
3次元光記録 |
3. |
SHG(第2高調波)像 |
4. |
CARS(コヒーレントアンチストークスラマン散乱) |
5. |
近接場光学顕微鏡 |
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自己組織化的手法による微細加工 |
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1. |
はじめに |
2. |
デンドリマー構造を利用した発光材料の研究 |
2.1. |
デンドリマー構造と発光特性 |
2.2. |
共振器のいらないデンドリマー分散型固体レーザーの発振 |
3. |
デンドリマーを用いた単電子トンネル素子の研究 |
3.1. |
単電子トンネル素子のねらい |
3.2. |
膜構造による単電子トンネル素子の作成 |
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3.3. |
分子のサイズの算出 |
3.4. |
単電子トンネル素子の光制御 |
4. |
基板上での分子の組み立て |
4.1. |
組み立て方法 |
4.2. |
組み立てのためのポルフィリン分子 |
4.3. |
選択的分子会合による構造の作成 |
5. |
まとめ |
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マイクロリキッドプロセスを用いたデバイスの創成と将来展望 |
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1. |
はじめに |
2. |
薄膜電子デバイスとマイクロリキッドプロセス |
2.1. |
薄膜電子デバイス産業の無駄 |
2.2. |
マイクロリキッドプロセスとは何か |
2.3. |
マイクロリキッドプロセスによる電子デバイスの作成とその進化 |
3. |
インクジェット技術 |
3.1. |
インクジェットの現象 |
3.2. |
液滴の動作を決定するエネルギー |
4. |
インクジェット法によるカラーフィルタの作成 |
4.1. |
テクノロジー・マッチング |
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4.2. |
インクジェットの精度 |
4.3. |
撥水と親水 |
5. |
インクジェット法による有機ELディスプレイの作成 |
5.1. |
有機ELディスプレイの作成 |
5.2. |
成膜プロセス |
5.3. |
成膜の微細技術 |
6. |
インクジェットで有機トランジスタを描く |
6.1. |
有機TFT(TFT:Thin Film Transistor)の取り柄 |
6.2. |
有機TFT作成技術 |
7. |
マイクロリキッドプロセスの今後の展望 |
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連続型EUVリソグラフィ開発と樹脂感光性評価 |
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1. |
はじめに |
2. |
光源の波長と応用 |
3. |
EUVリソグラフィ試験 |
4. |
各種におけるEUV光源タイプ |
4.1. |
キャピラリー放電 |
4.2. |
レーザープラズマ |
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5. |
レーザープラズマEUV光源装置 |
6. |
EUV波長と露光 |
7. |
溶解速度の測定方法 |
8. |
レーザープラズマ光源の課題(モニタリング) |
9. |
レーザープラズマ光源の課題(デブリ対策) |
10. |
まとめ |
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新しい露光方法に対応したレジスト材料の開発 |
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1. |
はじめに |
2. |
露光波長でのレジスト材料 |
2.1. |
ArFレジスト材料 |
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2.2. |
F2レジスト材料 |
2.3. |
EUVレジスト材料 |
3. |
まとめ |
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