第1章 戦略デバイスとしての強誘電体メモリ
1 台頭する強誘電体メモリ〜DRAMの限界を超えて
1.DRAMにおける問題点
2.強誘電体メモリの初期の実験
2.1.最初の実験成功
2.2.材料、構造を変えての試み
3.強誘電体メモリの方式と進歩
 
3.1.反転電流検出方式
3.2.高い誘電率でのDRAM方式
3.3.強誘電体をゲートする方式
4.強誘電体メモリにおけるスケーリング
 
2 マルチメディア社会と強誘電体デバイス
1.メディアの歴史
1.1.文字を伝えるメディア
1.2.映像メディア
1.3.音のメディア
1.4.情報伝達メディア
1.5.映像伝送メディア
1.6.マルチメディア
2.マルチメディアを支える技術
 
2.1.光ファイバーとマルチメディア
2.2.無線とマルチメディア
2.3.インタラクティブTVとマルチメディア
3.マルチメディアに必要な半導体技術
4.半導体技術の進歩とマルチメディア
5.強誘電体技術
6.強誘電体メモリとマルチメディア
 
3 FERROELECTRIC THIN FILM MEMORY ICs
1.FERROELECTRIC THIN FILM TECHNOLOGY
2.FRAM PRODUCTS
3.FRAM COMPARISON WITH EEPROM
 
4.RELIABILITY OF FRAM PRODUCTS
5.ALLIANCE STRATEGY
6.FUTURE TRENDS
 
4 INTEGRATED FERROELECTRICS-A REVIEW
1.INTRODUCTION
1.1.History
1.2.Early Theoretical Barriers
2.FERROELECTRIC RAMs(FeRAMs)
 
2.1.Pass-Gate Arrays(Ferroelectric RAMs)
3.FERROELECTRIC DRAMs
4.BUSINESS CONSIDERATIONS OF FeRAMs
5.CONCLUSIONS
 
 
第2章 強誘電体メモリの材料技術
1 成膜のための原材料とその特性
1.CVD成膜材料とその特性
1.1.MOCVD用成膜材料とその特性
1.2.ソルベントMOCVD用成膜材料とその特性
2.ゾルゲル用成膜材料とその特性
2.1.PZTのゾルゲル材料とその特性
 
2.2.BSTのゾルゲル材料とその特性
3.ターゲット用成膜材料とその特性
3.1.PZTのターゲット材料とその特性
3.2.BSTのターゲット材料とその特性
3.3.Y系ターゲット材料とその特性
 
2 強誘電体薄膜の物性
1.チタン酸酸化物の電気伝導現象
2.PZTの電気伝導性
3.強誘電体セラミックスで知られている性質
3.1.圧電セラミックスの安定化
3.2.空間電荷と内部電界
 
3.3.未分極強誘電体セラミックス
3.4.強誘電体薄膜メモリーデバイスヘの影響
4.伝導現象と強誘電性の相互作用
5.強誘電体薄膜の特性解析方法
 
3 電極材料との界面物性
1.電極材料
2.導電性酸化物
3.電極界面の物性
 
4.電極界面状態の及ぼす影響
5.実際の強誘電体特性と表面状態
 
 
第3章 強誘電体メモリプロセス技術(1)‘成膜装置と技術’
1 MOCVD法
1.Pb(Zr,Ti)O(PZT)薄膜
1.1.薄膜作製
1.2.膜特性の制御
1.3.低温成長化
1.4.均一大面積成長
1.5.ステップカバーで
1.6.原子層エピタキシー
2.(Pb,La)(Zr,Ti)O(PLZT)薄膜
2.1.薄膜成長
 
2.2.電気的特性
2.3.均一大面積成長
3.(Ba,Sr)TiO(BST)薄膜
3.1.薄膜成長
3.2.電気的特性
3.3.ステップカバレージ
3.4.均一大面積成長
3.5.DRAMへの応用例
 
2 Liquid Source MOCVD of Multi-Component Oxide Thin Films
1.SOURCE REAGENT DELIVERY
1.1.Standard Bubblers
1.2.Liquid Source Delivery
1.3.Liquid Source Aerosol Deposition
2.CVD OF MULTI-COMPONENT OXIDES USING LIQUID DELIVERY
 
2.1.Ba-xSrxTiO for DRAM's
2.2.(Pb,La)(Zr,Ti)O Thin Films for Non-Volatile Memory,Electro-optic and Pyroelectric Integrated Circuits
2.3.LaSrCoO as Electrodes for Ferroelectric Thin Film Devices
 
3 LIQUID SOURCE MISTED CHEMICAL DEPOSITION (LSMCD)-A NEW LIQUID PHASE THIN FILM DEPOSITION TECHNIQUE AND ITS APPLICATIONS
1.A BRIEF HISTORICAL PERSPECTIVE
2.TECHNIQUE
3.THE PROCESS
 
4.SPECIFIC RESULTS
5.SUMMARY,CONCLUSIONS AND THE FUTURE
 
4 ソルゲル法および有機金属分解法
1.スピン塗布法の特徴
2.ゾルゲル法による成膜法
3.有機金属分解法による成膜プロセス
4.ゾルゲル法によるPZTの成膜結果
 
5.ゾルゲル法作成したPZTの特性
6.ゾルゲル強誘電体薄膜の報告例
7.有機金属分解法(MOD)によるPZT薄膜
8.有機金属分解法(MOD)によるSrBiTaO薄膜
 
5 スパッタリング法
1.(Ba,Sr)TiO系薄膜
2.Pb(Zr,Ti)O系薄膜
 
2.1.複合金属ターゲットと多元スパッタ法
2.2.アニールによるペロブスカイト結晶化手法
 
6 レーザーアブレーション法
1.レーザーアプリケーション法の特徴
2.強誘電体薄膜成長メカニズムと制御項目
3.具体的な応用例
3.1.PbTiO薄膜
3.2.SrTiO,BaTiOおよび(Sr,Ba)TiO薄膜
3.3.誘電体人工格子-原子レベルでの薄膜構造制御-
 
3.4.Si基板上への薄膜形成
4.応用上の注意点
4.1.大面積成膜
4.2.表面モルホロジー
4.3.装置の維持管理
 
 
第4章 強誘電体メモリプロセス技術(2)‘プロセスインテグレーション’
1-1 電極形成
1.電極材料の選定
2.キャパシタ耐熱性と電極
 
3.電極パターニングに伴う問題
 
1-2 加工技術
1.Pt電極加工技術
1.Ptエッチング特性
 
2.Ptエッチング時の側壁付着膜特性
2.BSTキャパシタ膜加工技術
 
2 大容量化強誘電体薄膜メモリのプロセス技術
1.強誘電体メモリの基本動作
2.高集積化メモリセルの問題点
3.高集積化セルを実現するためのプロセス技術
 
4.プロセスダメージの導入と回復
5.今後の課題
 
 
第5章 強誘電体メモリセル技術
1 DRAM
1.DRAM技術トレンド
2.DRAMセル技術課題
1.Cb/Cs比
2.ソフトエラー
3.リフレッシュ特性
 
4.プロセス課題
5.今後のDRAMセル技術のまとめ
3.強(高)誘電体膜キャパシタ技術
1.材料プロセス技術の現状
2.キャパシタ関連技術からの検討
 
2 FRAM
1.強誘電体メモリの位置づけと動作原理
2.FRAMの技術動向
 
3.今後の課題
 
3 FFRAM
1.MFS-FET
2.MFS-FETの問題点
3.MFMIS-FET
4.MFMIS-FETの作成(1)
5.フローティングゲート材料の検討
 
1.Po1y-Siフローティングゲート
2.新電極材料の開発
6.MFMIS-FETの作成(2)
7.今後の課題
 
4 ニューロデバイスヘの応用
1.ニューロデバイス用強誘電体メモリの特性
2.適応学習型デジタルニューロデバイス
1.適応学習型MISFETの特性
2.基本ニューロン回路
 
3.集積化ニューロン回路
4.アナログニューロデバイス
5.強誘電体膜の部分分極特性
 
 
第6章 強誘電体メモリ回路技術
1.従来メモリ
1.揮発性メモリ
2.不揮発性メモリ
2.強誘電体メモリの動作
1.シヤドウSRAMの動作
2.強誘電体メモリ(FRAM)の動作
3.他の強誘電体メモリの動作
 
4.IT構造の強誘電体メモリ
3.強誘電体メモリとそれぞれのメモリの違い
1.SRAMとの違い
2.DRAMとの違い
3.EEPROMとの違い
4.FLASHメモリとの違い
4.強誘電体メモリのもつ問題と今後
 
 
第7章 強誘電体メモリの信頼性と評価技術
1 スイッチング疲労特性
1.分極疲労の評価方法
2.疲労による分極特性の劣化
3.疲労による物性変化
 
4.疲労メカニズムの考察
5.疲労の他の報告例
6.疲労改善の取組
 
2 保持、インプリント、デポラリゼーション特性
1.保持特性
1.保持特性の評価方法
2.PZT,SrBiTaOの保持特性の評価結果
3.保持特性の報告例
4.保持特性のメカニズム
2.インプリント特性
1.インプリント特性の評価方法
 
2.インプリント特性の実際
3.インプリント特性の報告例
3.デポラリゼーション特性
1.デポラリゼーションの評価方法と従来の考え方
2.デポラリゼーション特性の原因の考察
3.デポラリゼーション特性の他の報告例
 
第8章 マルチメディア時代に期待される強誘電体メモリのアプリケ−ション
1 携帯情報機器のための低電圧・低電力メモリ
1.携帯情報機器用メモリ
2.高集積メモリの低電圧・低電力化技術
1.低電圧化
 
2.低電力化
3.強誘電体メモリヘの期待
 
2 アミューズメント機器への応用
1.アミューズメント機器全般の動向
2.コンシューマアミューズメント機器の動向
 
3.必要とする半導体
4.強誘電体メモリの応用並びにスペック要求
 
3 画像メモリヘの応用
1.画像システムのトレンド
2.強誘電体ラムバスメモリ
 
3.ロジック搭載メモリ
4.映像ファイルメモリ
 
4 パーソナルICカードヘの応用
1.ICカード総論
1.ICカードの種類と基本構成
2.ICカード用メモリ
2.接触型ICカード
1.各種メモリとカード性能
2.今後の課題
 
3.非接触ICカード
1.非接触ICカードの基本構成
2.各種メモリとICカード性能
3.FRAMを用いたICカードの例
4.今後の展開と要望
 
5 移動体通信と強誘電体メモリ
1.移動体通信の現状
2.メモリを含むLSI技術への要求条件
 
3.強誘電体メモリヘの期待
 
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