第1章　戦略デバイスとしての強誘電体メモリ 1 台頭する強誘電体メモリ〜DRAMの限界を超えて 1. DRAMにおける問題点 2. 強誘電体メモリの初期の実験 2.1. 最初の実験成功 2.2. 材料、構造を変えての試み 3. 強誘電体メモリの方式と進歩 　 3.1. 反転電流検出方式 3.2. 高い誘電率でのDRAM方式 3.3. 強誘電体をゲートする方式 4. 強誘電体メモリにおけるスケーリング 　 2 マルチメディア社会と強誘電体デバイス 1. メディアの歴史 1.1. 文字を伝えるメディア 1.2. 映像メディア 1.3. 音のメディア 1.4. 情報伝達メディア 1.5. 映像伝送メディア 1.6. マルチメディア 2. マルチメディアを支える技術 　 2.1. 光ファイバーとマルチメディア 2.2. 無線とマルチメディア 2.3. インタラクティブTVとマルチメディア 3. マルチメディアに必要な半導体技術 4. 半導体技術の進歩とマルチメディア 5. 強誘電体技術 6. 強誘電体メモリとマルチメディア 　 3 FERROELECTRIC THIN FILM MEMORY ICs 1. FERROELECTRIC THIN FILM TECHNOLOGY 2. FRAM PRODUCTS 3. FRAM COMPARISON WITH EEPROM 　 4. RELIABILITY OF FRAM PRODUCTS 5. ALLIANCE STRATEGY 6. FUTURE TRENDS 　 4 INTEGRATED FERROELECTRICS-A REVIEW 1. INTRODUCTION 1.1. History 1.2. Early Theoretical Barriers 2. FERROELECTRIC RAMs(FeRAMs) 　 2.1. Pass-Gate Arrays(Ferroelectric RAMs) 3. FERROELECTRIC DRAMs 4. BUSINESS CONSIDERATIONS OF FeRAMs 5. CONCLUSIONS 　 　 第2章　強誘電体メモリの材料技術 1 成膜のための原材料とその特性 1. CVD成膜材料とその特性 1.1. MOCVD用成膜材料とその特性 1.2. ソルベントMOCVD用成膜材料とその特性 2. ゾルゲル用成膜材料とその特性 2.1. PZTのゾルゲル材料とその特性 　 2.2. BSTのゾルゲル材料とその特性 3. ターゲット用成膜材料とその特性 3.1. PZTのターゲット材料とその特性 3.2. BSTのターゲット材料とその特性 3.3. Y系ターゲット材料とその特性 　 2 強誘電体薄膜の物性 1. チタン酸酸化物の電気伝導現象 2. PZTの電気伝導性 3. 強誘電体セラミックスで知られている性質 3.1. 圧電セラミックスの安定化 3.2. 空間電荷と内部電界 　 3.3. 未分極強誘電体セラミックス 3.4. 強誘電体薄膜メモリーデバイスヘの影響 4. 伝導現象と強誘電性の相互作用 5. 強誘電体薄膜の特性解析方法 　 3 電極材料との界面物性 1. 電極材料 2. 導電性酸化物 3. 電極界面の物性 　 4. 電極界面状態の及ぼす影響 5. 実際の強誘電体特性と表面状態 　 　 第3章　強誘電体メモリプロセス技術(1)‘成膜装置と技術’ 1 MOCVD法 1. Pb(Zr,Ti)O(PZT)薄膜 1.1. 薄膜作製 1.2. 膜特性の制御 1.3. 低温成長化 1.4. 均一大面積成長 1.5. ステップカバーで 1.6. 原子層エピタキシー 2. (Pb,La)(Zr,Ti)O(PLZT)薄膜 2.1. 薄膜成長 　 2.2. 電気的特性 2.3. 均一大面積成長 3. (Ba,Sr)TiO(BST)薄膜 3.1. 薄膜成長 3.2. 電気的特性 3.3. ステップカバレージ 3.4. 均一大面積成長 3.5. DRAMへの応用例 　 2 Liquid Source MOCVD of Multi-Component Oxide Thin Films 1. SOURCE REAGENT DELIVERY 1.1. Standard Bubblers 1.2. Liquid Source Delivery 1.3. Liquid Source Aerosol Deposition 2. CVD OF MULTI-COMPONENT OXIDES USING LIQUID DELIVERY 　 2.1. Ba-xSrxTiO for DRAM's 2.2. (Pb,La)(Zr,Ti)O Thin Films for Non-Volatile Memory,Electro-optic and Pyroelectric Integrated Circuits 2.3. LaSrCoO as Electrodes for Ferroelectric Thin Film Devices 　 3 LIQUID SOURCE MISTED CHEMICAL DEPOSITION (LSMCD)-A NEW LIQUID PHASE THIN FILM DEPOSITION TECHNIQUE AND ITS APPLICATIONS 1. A BRIEF HISTORICAL PERSPECTIVE 2. TECHNIQUE 3. THE PROCESS 　 4. SPECIFIC RESULTS 5. SUMMARY,CONCLUSIONS AND THE FUTURE 　 4 ソルゲル法および有機金属分解法 1. スピン塗布法の特徴 2. ゾルゲル法による成膜法 3. 有機金属分解法による成膜プロセス 4. ゾルゲル法によるPZTの成膜結果 　 5. ゾルゲル法作成したPZTの特性 6. ゾルゲル強誘電体薄膜の報告例 7. 有機金属分解法(MOD)によるPZT薄膜 8. 有機金属分解法(MOD)によるSrBiTaO薄膜 　 5 スパッタリング法 1. (Ba,Sr)TiO系薄膜 2. Pb(Zr,Ti)O系薄膜 　 2.1. 複合金属ターゲットと多元スパッタ法 2.2. アニールによるペロブスカイト結晶化手法 　 6 レーザーアブレーション法 1. レーザーアプリケーション法の特徴 2. 強誘電体薄膜成長メカニズムと制御項目 3. 具体的な応用例 3.1. PbTiO薄膜 3.2. SrTiO,BaTiOおよび(Sr,Ba)TiO薄膜 3.3. 誘電体人工格子-原子レベルでの薄膜構造制御- 　 3.4. Si基板上への薄膜形成 4. 応用上の注意点 4.1. 大面積成膜 4.2. 表面モルホロジー 4.3. 装置の維持管理 　 　 第4章　強誘電体メモリプロセス技術(2)‘プロセスインテグレーション’ 1-1 電極形成 1. 電極材料の選定 2. キャパシタ耐熱性と電極 　 3. 電極パターニングに伴う問題 　 1-2 加工技術 1. Pt電極加工技術 1. Ptエッチング特性 　 2. Ptエッチング時の側壁付着膜特性 2. BSTキャパシタ膜加工技術 　 2 大容量化強誘電体薄膜メモリのプロセス技術 1. 強誘電体メモリの基本動作 2. 高集積化メモリセルの問題点 3. 高集積化セルを実現するためのプロセス技術 　 4. プロセスダメージの導入と回復 5. 今後の課題 　 　 第5章　強誘電体メモリセル技術 1 DRAM 1. DRAM技術トレンド 2. DRAMセル技術課題 1. Cb/Cs比 2. ソフトエラー 3. リフレッシュ特性 　 4. プロセス課題 5. 今後のDRAMセル技術のまとめ 3. 強(高)誘電体膜キャパシタ技術 1. 材料プロセス技術の現状 2. キャパシタ関連技術からの検討 　 2 FRAM 1. 強誘電体メモリの位置づけと動作原理 2. FRAMの技術動向 　 3. 今後の課題 　 3 FFRAM 1. MFS-FET 2. MFS-FETの問題点 3. MFMIS-FET 4. MFMIS-FETの作成(1) 5. フローティングゲート材料の検討 　 1. Po1y-Siフローティングゲート 2. 新電極材料の開発 6. MFMIS-FETの作成(2) 7. 今後の課題 　 4 ニューロデバイスヘの応用 1. ニューロデバイス用強誘電体メモリの特性 2. 適応学習型デジタルニューロデバイス 1. 適応学習型MISFETの特性 2. 基本ニューロン回路 　 3. 集積化ニューロン回路 4. アナログニューロデバイス 5. 強誘電体膜の部分分極特性 　 　 第6章　強誘電体メモリ回路技術 1. 従来メモリ 1. 揮発性メモリ 2. 不揮発性メモリ 2. 強誘電体メモリの動作 1. シﾔドウSRAMの動作 2. 強誘電体メモリ(FRAM)の動作 3. 他の強誘電体メモリの動作 　 4. IT構造の強誘電体メモリ 3. 強誘電体メモリとそれぞれのメモリの違い 1. SRAMとの違い 2. DRAMとの違い 3. EEPROMとの違い 4. FLASHメモリとの違い 4. 強誘電体メモリのもつ問題と今後 　 　 第7章　強誘電体メモリの信頼性と評価技術 1 スイッチング疲労特性 1. 分極疲労の評価方法 2. 疲労による分極特性の劣化 3. 疲労による物性変化 　 4. 疲労メカニズムの考察 5. 疲労の他の報告例 6. 疲労改善の取組 　 2 保持、インプリント、デポラリゼーション特性 1. 保持特性 1. 保持特性の評価方法 2. PZT,SrBiTaOの保持特性の評価結果 3. 保持特性の報告例 4. 保持特性のメカニズム 2. インプリント特性 1. インプリント特性の評価方法 　 2. インプリント特性の実際 3. インプリント特性の報告例 3. デポラリゼーション特性 1. デポラリゼーションの評価方法と従来の考え方 2. デポラリゼーション特性の原因の考察 3. デポラリゼーション特性の他の報告例 　 第8章　マルチメディア時代に期待される強誘電体メモリのアプリケ−ション 1 携帯情報機器のための低電圧・低電力メモリ 1. 携帯情報機器用メモリ 2. 高集積メモリの低電圧・低電力化技術 1. 低電圧化 　 2. 低電力化 3. 強誘電体メモリヘの期待 　 2 アミューズメント機器への応用 1. アミューズメント機器全般の動向 2. コンシューマアミューズメント機器の動向 　 3. 必要とする半導体 4. 強誘電体メモリの応用並びにスペック要求 　 3 画像メモリヘの応用 1. 画像システムのトレンド 2. 強誘電体ラムバスメモリ 　 3. ロジック搭載メモリ 4. 映像ファイルメモリ 　 4 パーソナルICカードヘの応用 1. ICカード総論 1. ICカードの種類と基本構成 2. ICカード用メモリ 2. 接触型ICカード 1. 各種メモリとカード性能 2. 今後の課題 　 3. 非接触ICカード 1. 非接触ICカードの基本構成 2. 各種メモリとICカード性能 3. FRAMを用いたICカードの例 4. 今後の展開と要望 　 5 移動体通信と強誘電体メモリ 1. 移動体通信の現状 2. メモリを含むLSI技術への要求条件 　 3. 強誘電体メモリヘの期待 　 Copyright　(C) 2003　NTS Inc. All right reserved.