強誘電体薄膜メモリ
 
応用物理
プロセスインテグレーション技術、メモリセル技術、回路技術を詳述。
 
1995年6月30日
本体50,000円+税
380頁
A4判 上製
株式会社サイエンスフォーラム
 
【編集委員】
 塩嵜  忠  京都大学工学部電子物性工学教室助教授
 阿部 東彦  三菱電機(株)半導体基礎研究所所長
 武田 英次  (株)日立製作所中央研究所ULSI研究部部長
 津屋 英樹  日本電気(株)研究開発グループ主席研究員
(執筆者全32名)
 

戦略デバイスとしての強誘電体メモリ
 

強誘電体メモリセル技術
 

強誘電体メモリの材料技術
 

強誘電体メモリ回路技術
 

強誘電体メモリプロセス技術(1)
‘成膜装置と技術’
 

強誘電体メモリの信頼性と評価技術
 

強誘電体メモリプロセス技術(2)
‘プロセスインテグレーション’
 

マルチメディア時代に期待される
強誘電体メモリのアプリケ−ション
 
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