第1章　半導体の製造プロセスと市場動向
第1節　半導体製造プロセスの概要とエッチングの位置づけ
　1 半導体の製造プロセス
　2 エッチングの役割と要求性能の変遷
　3 様々なエッチング工程
　　3.1 全面エッチングと洗浄
　　3.2 エッチバック
　　3.3 サイドウォール形成
　　3.4 セルフアラインコンタクト
　　3.5 CMPの登場とエッチングとの組合せ技術

第2節　先端半導体製造におけるシリコンウェーハ洗浄技術
　1 はじめに
　2 半導体微細化に向けた洗浄の課題と対策
　　2.1 バッチ浸漬式から枚葉スピン式への移行
　　2.2 異種新材料への対応
　　2.3 物理的補助手段によるダメージ
　　2.4 ウェーハ乾燥時のパターン倒壊
　3 トライエッチングの応用としてのドライ洗浄への期待
　　3.1 ドライクリーニングによる薄膜状汚染除去
　　3.2 ドライ洗浄によるパーティクル除去
　　3.3 ドライ洗浄の長所と問題点
　4 Si ウェーハ大口径化に向けた洗浄
　5 おわりに

第3節　半導体デバイスおよびエッチング関連の市場動向と展望
　1 半導体市場の動向
　2 シリコンサイクルについて
　3 半導体製造装置市場の動向
　4 エッチャーの出荷動向



第2章　ウェットエッチング技術
第1節　単結晶Siの結晶異方性ウエットエッチング
　1 単結晶Siのウエットエッチング
　2 結晶異方性ウエットエッチング
　　2.1 エッチング条件
　　2.2 エッチング速度分布
　　2.3 エッチングメカニズム
　　2.4 水酸化カリウムと水酸化テトラメチルアンモニウム
　3 結晶異方性ウエットエッチングによる微細構造体作製
　　3.1 ダイアフラム構造
　　3.2 ニードル構造

第2節　III-V族化合物半導体のウェットエッチング
　1 はじめに
　2 典型的なウェットッチング液
　3 エッチング形状
　4 GaAsのウェットエッチング
　5 InPのウェットエッチング
　6 GaNのウェットエッチング
　7 選択エッチング
　8 デジタルエッチング

第3節　ウェットエッチングの高精度化とトラブル対策
　1 はじめに
　2 ウェットエッチングの基本プロセス
　3 エッチングプロセス
　　3.1 エッチング機構
　　3.2 レジストマスク形成
　　3.3 レジスト除去
　4 アンダーカット形状の高精度化
　　4.1 アンダーカット異常
　　　4.1.1 凹凸パターン
　　　4.1.2 開口パターン
　　　4.1.3 ラインパターン
　　　4.1.4 表面硬化層
　　4.2 マスク耐性不良
　　4.3 パターン欠陥
　5 計測技術
　6 おわりに



第3章　ドライエッチング技術
第1節　ドライプロセス基礎
　1 ドライプロセスの歴史
　　1.1 半導体プラズマエッチング
　　1.2 プラズマ物理化学の勃興とプラズマエッチングの幕開け
　2 半導体プラズマエッチングの原理
　　2.1 プラズマエッチングの基本原理
　　2.2 化学的ドライエッチング
　　2.3 物理的エッチング
　　2.4 反応性イオンエッチング
　3 反応性イオンエッチングプロセス
　　3.1 反応性イオンエッチングにおける形状制御
　　3.2 反応性イオンエッチングの微視的なモデル
　4 粒子制御
　　4.1 イオンエネルギー制御
　　4.2 ラジカル制御
　5 ドライエッチングの基礎科学の発展の必要性

第2節　非シリコン分野のプラズマエッチング
　1 はじめに　~非シリコン分野とは~
　2 プラズマによる微細加工技術
　3 異方性ドライエッチング装置の構造
　　3.1 平行平板型RIE装置
　　3.2 トルネードICP-RIE装置
　　3.3 下部電極冷却機構と静電チャック
　4 ドライエッチング装置の非シリコン分野応用
　　4.1 化合物半導体エッチング技術
　　4.2 シリコン深堀エッチング技術 ~Boschプロセス~
　　4.3 サファイアの微細加工
　　4.4 特殊な金属材料のエッチング
　5 今後の展望

第3節　反応性イオンエッチング（RIE）の数値シミュレーション
　1 はじめに
　2 表面現象の分子動力学シミュレーション
　　2.1 古典的原子間ポテンシャル
　　　2.1.1 多体ポテンシャル関数
　　　2.1.2 原子挿入法ポテンシャル
　　　2.1.3 Tersoffポテンシャル
　　　2.1.4 Stillinger-Weber ポテンシャル
　3 分子動力学シミュレーション法
　4 シミュレーション例
　5 むすび

第4節　ガスクラスターイオンビームによるエッチング
　1 はじめに
　2 ガスクラスターイオンビームの特徴
　　2.1 低エネルギー照射
　　2.2 高密度エネルギー付与
　　2.3 表面平坦化効果
　3 ガスクラスターイオンビーム装置
　4 ガスクラスターイオンビームによるエッチング
　5 ガスクラスターイオンビームを用いた原子層プロセスへの応用

第5節　イオン・ラジカルビームを用いたエッチング表面反応解析
　1 はじめに
　2 ビーム実験によるエッチング反応の研究
　　2.1 ビーム実験の特徴
　　2.2 マルチビーム実験装置
　3 フルオロカーボンイオンによるSiO2エッチング反応
　　3.1 エッチングイールド
　　3.2 エッチング反応による脱離物
　　3.3 イオン照射後の表面の変化
　　3.4 CFX　+イオンよるSiO2エッチング反応
　4 まとめ

第6節　プラズマエッチングのダメージについて
　1 はじめに
　2 プラズマダメージとは
　　2.1 3つの代表的機構
　　2.2 プラズマダメージの歴史
　3 代表的なPID機構とその評価手法
　　3.1 プラズマ誘起チャージングダメージ（PCD）とその評価手法
　　3.2 プラズマ誘起物理ダメージ（PPD）とその評価手法
　4 おわりに〜今後の展望



第4章　新しいエッチング技術の研究開発動向
第1節　原子層無損傷プラズマエッチング技術
　1 プラズマエッチングとは
　2 中性粒子ビーム源とプラズマエッチングにおける紫外線照射効果
　3 22 nm世代以降の縦型フィントランジスタへの応用
　4 無欠陥ナノ構造の作製と量子効果デバイス
　5 原子層レベル表面化学反応の制御
　6 まとめ

第2節　プラズマと熱サイクルを用いた原子層エッチング
　1 はじめに
　2 原子層エッチングの概要
　3 プラズマと熱サイクルを用いた等方性ALE
　4 表面原子層反応の解析
　　4.1 プラズマ照射による表面改質層の生成
　　4.2 ランプ加熱による表面改質層の除去
　5 原子層エッチングの開発事例
　　5.1 装置およびプロセスシーケンス
　　5.2 TiNの選択エッチング
　　5.3 Wの選択エッチング

第3節　GaNの光電気化学（PEC）エッチング
　1 はじめに
　2 光電気化学エッチングの原理
　　2.1 GaNと電解液界面の電気化学反応
　　2.2 光電気化学エッチング装置
　3 GaN系電子デバイスプロセスへの適用例
　　3.1 GaN表面ダメージの除去
　　3.2 AlGaN/GaNヘテロ構造の加工とトランジスタ応用
　4 光電気化学エッチングの普及に向けて
　5 おわりに

第4節　触媒アシストエッチング
　1 はじめに
　　1.1 ウェットエッチングとドライエッチング
　　1.2 触媒アシストエッチングの歴史と概要
　　1.3 本節の特徴
　2 Ge表面を用いた金属アシストエッチングの基礎特性
　　2.1 実験方法
　　　2.1.1 試料の準備方法
　　　2.1.2 表面観察方法
　　2.2 実験結果と考察
　　　2.2.1 金属微粒子を用いたエッチング実験
　　　2.2.2 金属被覆探針を用いた表面選択領域の加工実験
　3 金属の触媒効果を援用した半導体表面の平坦化
　　3.1 はじめに
　　3.2 Ge表面の平坦化
　　　3.2.1 試料の処理方法
　　　3.2.2 実験結果と考察
　　3.3 SiC表面の平坦化
　　　3.3.1 試料の処理方法
　　　3.3.2 実験結果と考察
　4 ナノカーボン触媒を用いた化学エッチングと表面加工への展開
　　4.1 はじめに
　　4.2 実験方法
　　　4.2.1 異なる種類のナノカーボン材料の準備・合成方法
　　　4.2.2 ナノカーボンを用いた半導体表面のエッチング方法
　　4.3 実験結果と考察
　　　4.3.1 ナノカーボンと接触した半導体表面の選択エッチング
　　　4.3.2 異なるナノカーボンを用いた時のエッチング特性の比較と考察
　　　4.3.3 ナノカーボン膜をテンプレートとした半導体表面の溝加工
　5 おわりに